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侧向离子束诱导电荷显微分析技术 | |
陆荣荣; 裘惠源; 曹建清 | |
Date Available | 2013-01-23 |
Country | 中国 |
Subtype | 发明专利 |
Abstract | 本发明公开一种侧向离子束诱导电荷显微分析 技术,用于测量半导体器件的微区电学特性,主要包括以下步 骤:提供一微米MeV的离子束;将该离子束沿半导体器件侧 面入射在该器件上;收集并分析由该离子束诱导产生的载流子 脉冲信号。本发明微米离子束从半导体器件电极的侧面入射, 所以避免了电荷漏斗效应,而且采用fA量级低离子束流,从 而根本上克服了MeV离子束对分析器件带来的损伤问题。 |
Subject Area | H01l21/66 ; G01r31/26 ; G01r31/28 |
Funding Project | 应物所课题组 |
Language | 中文 |
Status | 20071017 发明专利申请公布后的视为撤回 |
Application Number | CN03129326 |
Patent Agent | 肖剑南 |
Document Type | 专利 |
Identifier | http://ir.sinap.ac.cn/handle/331007/10398 |
Collection | 中科院上海原子核所2003年前 |
Recommended Citation GB/T 7714 | 陆荣荣,裘惠源,曹建清. 侧向离子束诱导电荷显微分析技术. |
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侧向离子束诱导电荷显微分析技术.pdf(430KB) | 开放获取 | License | View Download |
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