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| 侧向离子束诱导电荷显微分析技术 | |
| 陆荣荣; 裘惠源; 曹建清 | |
| Date Available | 2013-01-23 |
| Country | 中国 |
| Subtype | 发明专利 |
| Abstract | 本发明公开一种侧向离子束诱导电荷显微分析 技术，用于测量半导体器件的微区电学特性，主要包括以下步 骤：提供一微米MeV的离子束；将该离子束沿半导体器件侧 面入射在该器件上；收集并分析由该离子束诱导产生的载流子 脉冲信号。本发明微米离子束从半导体器件电极的侧面入射， 所以避免了电荷漏斗效应，而且采用fA量级低离子束流，从 而根本上克服了MeV离子束对分析器件带来的损伤问题。 |
| Subject Area | H01l21/66 ; G01r31/26 ; G01r31/28 |
| Funding Project | 应物所课题组 |
| Language | 中文 |
| Status | 20071017 发明专利申请公布后的视为撤回 |
| Application Number | CN03129326 |
| Patent Agent | 肖剑南 |
| Document Type | 专利 |
| Identifier | http://ir.sinap.ac.cn/handle/331007/10398 |
| Collection | 中科院上海原子核所2003年前 |
| Recommended Citation GB/T 7714 | 陆荣荣,裘惠源,曹建清. 侧向离子束诱导电荷显微分析技术. |
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| File Name/Size | DocType | Version | Access | License | ||
| 侧向离子束诱导电荷显微分析技术.pdf（430KB） | 开放获取 | License | View Download | |||
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