CAS OpenIR  > 中科院上海原子核所2003年前
一种快速合成材料芯片的组合离子注入方法
李民乾; 陈昌明; 朱德彰; 潘浩昌; 胡钧
Date Available2013-01-23
Country中国
Subtype发明专利
Abstract本发明提供了一种快速合成材料芯片的离子注 入方法,是将所需结构的掩膜逐次组合定位掩盖在基底材料上, 顺序注入所需种类的离子,经热处理而快速合成大量具有不同 成分材料单元的芯片,其单元和成分的分布可精确控制。该工艺 与硅平面工艺相容,既可用于新材料的快速发现和筛选,也可用 于快速集成纳米基发光单元器件。
Subject AreaH01l21/265 ; C23c14/48 ; C30b31/22
Funding Project应物所课题组
Language中文
Status20020904 发明专利申请公布后的视为撤回
Application NumberCN99113420
Patent Agent邬震中 ; 高毓秋
Document Type专利
Identifierhttp://ir.sinap.ac.cn/handle/331007/10443
Collection中科院上海原子核所2003年前
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GB/T 7714
李民乾,陈昌明,朱德彰,等. 一种快速合成材料芯片的组合离子注入方法.
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