Knowledge Management System Of Shanghai Institute of Applied Physics, CAS
| 一种快速合成材料芯片的组合离子注入方法 | |
| 李民乾; 陈昌明; 朱德彰; 潘浩昌; 胡钧 | |
| Date Available | 2013-01-23 |
| Country | 中国 |
| Subtype | 发明专利 |
| Abstract | 本发明提供了一种快速合成材料芯片的离子注 入方法,是将所需结构的掩膜逐次组合定位掩盖在基底材料上, 顺序注入所需种类的离子,经热处理而快速合成大量具有不同 成分材料单元的芯片,其单元和成分的分布可精确控制。该工艺 与硅平面工艺相容,既可用于新材料的快速发现和筛选,也可用 于快速集成纳米基发光单元器件。 |
| Subject Area | H01l21/265 ; C23c14/48 ; C30b31/22 |
| Funding Project | 应物所课题组 |
| Language | 中文 |
| Status | 20020904 发明专利申请公布后的视为撤回 |
| Application Number | CN99113420 |
| Patent Agent | 邬震中 ; 高毓秋 |
| Document Type | 专利 |
| Identifier | http://ir.sinap.ac.cn/handle/331007/10443 |
| Collection | 中科院上海原子核所2003年前 |
| Recommended Citation GB/T 7714 | 李民乾,陈昌明,朱德彰,等. 一种快速合成材料芯片的组合离子注入方法. |
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| 一种快速合成材料芯片的组合离子注入方法.（230KB） | 开放获取 | License | View Download | |||
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