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一种快速合成材料芯片的组合离子注入方法 | |
李民乾; 陈昌明; 朱德彰; 潘浩昌; 胡钧 | |
Date Available | 2013-01-23 |
Country | 中国 |
Subtype | 发明专利 |
Abstract | 本发明提供了一种快速合成材料芯片的离子注 入方法,是将所需结构的掩膜逐次组合定位掩盖在基底材料上, 顺序注入所需种类的离子,经热处理而快速合成大量具有不同 成分材料单元的芯片,其单元和成分的分布可精确控制。该工艺 与硅平面工艺相容,既可用于新材料的快速发现和筛选,也可用 于快速集成纳米基发光单元器件。 |
Subject Area | H01l21/265 ; C23c14/48 ; C30b31/22 |
Funding Project | 应物所课题组 |
Language | 中文 |
Status | 20020904 发明专利申请公布后的视为撤回 |
Application Number | CN99113420 |
Patent Agent | 邬震中 ; 高毓秋 |
Document Type | 专利 |
Identifier | http://ir.sinap.ac.cn/handle/331007/10443 |
Collection | 中科院上海原子核所2003年前 |
Recommended Citation GB/T 7714 | 李民乾,陈昌明,朱德彰,等. 一种快速合成材料芯片的组合离子注入方法. |
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一种快速合成材料芯片的组合离子注入方法.(230KB) | 开放获取 | License | View Application Full Text |
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