CAS OpenIR  > 中科院上海应用物理研究所2004-2010年
硫化镉裸量子点及其制备方法
汪勇先; 许荣辉
Date Available2013-01-23
Country中国
Subtype发明专利
Abstract本发明公开了一种硫化镉裸量子点,其为颗粒状纳米晶,其荧光发射峰λmax为415-420nm,半高峰宽为80~100nm。本发明还公开了其采用水热合成法,将Cd/S摩尔比为1~1.2∶1的水溶性无机镉盐与L-半胱氨酸,在pH9~13的反应体系中进行反应的制备方法。本发明方法简单、易操作,成本低;制备出了<10nm的不同粒径的CdS裸量子点,与现有产品相比,具有稳定性高、荧光发射峰形好、半高峰宽较窄、单色性好等优点,既为裸量子点的表面修饰赢得了宝贵的时间,又提高了其荧光性能,使之经过表面修饰等后续处理后可用于生物组织标记。
Subject AreaC09k11/56
Funding Project应物所课题组
Language中文
Status20090624 授权
Application NumberCN200510031067
Patent Agent薛琦
Document Type专利
Identifierhttp://ir.sinap.ac.cn/handle/331007/10572
Collection中科院上海应用物理研究所2004-2010年
Recommended Citation
GB/T 7714
汪勇先,许荣辉. 硫化镉裸量子点及其制备方法.
Files in This Item: Download All
File Name/Size DocType Version Access License
硫化镉裸量子点及其制备方法.pdf(786KB) 开放获取LicenseView Download
Related Services
Recommend this item
Bookmark
Usage statistics
Export to Endnote
Google Scholar
Similar articles in Google Scholar
[汪勇先]'s Articles
[许荣辉]'s Articles
Baidu academic
Similar articles in Baidu academic
[汪勇先]'s Articles
[许荣辉]'s Articles
Bing Scholar
Similar articles in Bing Scholar
[汪勇先]'s Articles
[许荣辉]'s Articles
Terms of Use
No data!
Social Bookmark/Share
File name: 硫化镉裸量子点及其制备方法.pdf
Format: Adobe PDF
All comments (0)
No comment.
 

Items in the repository are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.