CAS OpenIR  > 中科院上海应用物理研究所2004-2010年
生长纳米级气泡的方法及其观察并控制装置与方法
张立娟; 胡钧; 方海平; 樊春海; 张益; 沈广霞
Date Available2013-01-23
Country中国
Subtype发明专利
Abstract本发明公开了一种生长纳米级气泡的方法,其采用电化学方法,以疏水的、表面粗糙度不超过10纳米的导电材料为工作电极,同时作为生长纳米气泡的基底,并控制电压至少为0.7V的正压或负压,反应时间为1秒~2.5小时。本发明也公开了一种观测并控制上述生长纳米级气泡的装置和方法。本发明方法可以产生某一单体成分的纳米级气泡,具有很好重现性,操作简便;而且,通过改变电压和反应时间可以控制纳米气泡的大小和数量。
Subject AreaG01n13/00 ; G01n1/28 ; C25b1/00
Funding Project应物所课题组
Language中文
Status20110420 授权
Application NumberCN200510111757
Patent Agent薛琦
Document Type专利
Identifierhttp://ir.sinap.ac.cn/handle/331007/10576
Collection中科院上海应用物理研究所2004-2010年
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GB/T 7714
张立娟,胡钧,方海平,等. 生长纳米级气泡的方法及其观察并控制装置与方法.
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