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1.56MeV Sb~+注入单晶硅的反常退火行为 | |
高剑侠; 朱德彰; 曹德新; 周祖尧; 赵国庆 | |
1994-01-10 | |
Source Publication | 核技术
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Issue | 01 |
Abstract | 剂量为2×10(13)-5×10(15)cm(-2)的1.56MeVSb+注入Si(100)后;向石英炉中通入流动纯Ar气进行热退火(退火温度为500一1050℃;时间为30min)。采用3MeVHe(2+)卢瑟福背散射/沟道技术和透射电镜技术测量样品的注人损伤以及退火特性;结合计算机模拟数据;结果表明:缺陷的产生类型与注入离子的剂量、样品退火温度密切相关。 |
Indexed By | CNKI |
Language | 中文 |
Funding Project | 原子核所项目组 |
Document Type | 期刊论文 |
Identifier | http://ir.sinap.ac.cn/handle/331007/10794 |
Collection | 中科院上海原子核所2003年前 |
Recommended Citation GB/T 7714 | 高剑侠,朱德彰,曹德新,等. 1.56MeV Sb~+注入单晶硅的反常退火行为[J]. 核技术,1994(01). |
APA | 高剑侠,朱德彰,曹德新,周祖尧,&赵国庆.(1994).1.56MeV Sb~+注入单晶硅的反常退火行为.核技术(01). |
MLA | 高剑侠,et al."1.56MeV Sb~+注入单晶硅的反常退火行为".核技术 .01(1994). |
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1.56MeV Sb~+注入单晶硅的反常(355KB) | 开放获取 | License | View Download |
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