CAS OpenIR  > 中科院上海原子核所2003年前
Cu在Pt(111)面上电结晶的成膜过程研究
印仁和; 曹为民; 施文广; 孙洁林; 毛秉伟; 孙世刚
1998-08-18
Source Publication金属学报
Issue08
Abstract采用0.001mol/LCuSO4+0.5mol/LH2SO4溶液体系;在Pt单晶球电极作循环伏安曲线;得到Cu存在欠电位沉积和本体沉积两个阶段;利用电化学扫描隧道显微镜观察到在欠电位下Cu在Pt(111)面上为单层平面生长;本体沉积为三维岛状生长;并随过电位升高;Cu的成核数目增加.用反射电子显微镜法也观察到高过电位时在Pt(111)面上的岛状铜.证实了Cu在Pt(111)面上的Stranski—Krastanov生长机理
Indexed ByCNKI
Language中文
Funding Project原子核所项目组
Document Type期刊论文
Identifierhttp://ir.sinap.ac.cn/handle/331007/10892
Collection中科院上海原子核所2003年前
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GB/T 7714
印仁和,曹为民,施文广,等. Cu在Pt(111)面上电结晶的成膜过程研究[J]. 金属学报,1998(08).
APA 印仁和,曹为民,施文广,孙洁林,毛秉伟,&孙世刚.(1998).Cu在Pt(111)面上电结晶的成膜过程研究.金属学报(08).
MLA 印仁和,et al."Cu在Pt(111)面上电结晶的成膜过程研究".金属学报 .08(1998).
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