E/D型MODFET直接耦合倒相器的研制

CAS OpenIR > 中科院上海原子核所2003年前

	E/D型MODFET直接耦合倒相器的研制
	朱旗; 冯国进
	1990-03-02
Source Publication	电子科技大学学报
Issue	01
Abstract	本文对 E/D 型 MODFET 直接耦合倒相器进行了设计与研制。利用国产分子束外延设备制备的 Al_xGa_(1-x)As/Ga As 调制掺杂外延材料;采用常规化合物半导体工艺;获得了具有正常逻辑输出功能的 MODFET 直接耦合倒相器。这对国内开展 MODFET 数字电路的研究与开发具有实际意义。
Indexed By	CNKI
Language	中文
Funding Project	原子核所项目组
Document Type	期刊论文
Identifier	http://ir.sinap.ac.cn/handle/331007/10917
Collection	中科院上海原子核所2003年前
Recommended Citation GB/T 7714	朱旗,冯国进. E/D型MODFET直接耦合倒相器的研制[J]. 电子科技大学学报,1990(01).
APA	朱旗,&冯国进.(1990).E/D型MODFET直接耦合倒相器的研制.电子科技大学学报(01).
MLA	朱旗,et al."E/D型MODFET直接耦合倒相器的研制".电子科技大学学报 .01(1990).

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Format:	Unknown

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