CAS OpenIR  > 中科院上海原子核所2003年前
GaAs、AlGaAs非对称耦合双量子阱界面混合效应光荧光谱研究
缪中林; 陆卫; 陈平平; 李志锋; 刘平; 袁先漳; 蔡炜颖; 徐文兰; 沈学础; 陈昌明; 朱德彰; 胡均; 李明乾
2001-02-25
Source Publication红外与毫米波学报
Issue01
Abstract用分子束外延系统生长了 Ga As/ Al Ga As非对称耦合双量子阱 (ACDQW) ;用组合注入的方法 ;在同一块衬底上获得了不同注入离子和不同注入剂量的耦合量子阱单元 ;没有经过快速热退火过程 ;在常温下测量了不同单元的显微光荧光谱 ;发现子带间跃迁能量最大变化范围接近 10 0 me V;组合注入所导致的能量移动要大于单独注入导致的能量移动
Indexed ByCNKI
Language中文
Funding Project原子核所项目组
Document Type期刊论文
Identifierhttp://ir.sinap.ac.cn/handle/331007/10930
Collection中科院上海原子核所2003年前
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GB/T 7714
缪中林,陆卫,陈平平,等. GaAs、AlGaAs非对称耦合双量子阱界面混合效应光荧光谱研究[J]. 红外与毫米波学报,2001(01).
APA 缪中林.,陆卫.,陈平平.,李志锋.,刘平.,...&李明乾.(2001).GaAs、AlGaAs非对称耦合双量子阱界面混合效应光荧光谱研究.红外与毫米波学报(01).
MLA 缪中林,et al."GaAs、AlGaAs非对称耦合双量子阱界面混合效应光荧光谱研究".红外与毫米波学报 .01(2001).
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