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超纯P型硅探测器的制备和室温特性 | |
尤乃谈 | |
1983-06-30 | |
Source Publication | 核技术
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Issue | 06 |
Abstract | 本文主要叙述超纯P型硅探测器的制备和性能。应用浙江大学研制的超纯硅单晶制成50mm~2×1.5mm的Si(Hp)探测器;在室温10℃;对~(270)Bi 481.6keV和976keV内转换电子的能量分辨率分别为6.3keV和8.58keV;对~(137)Cs624keV内转换电子能量分辨率为7.1keV。 |
Indexed By | CNKI |
Language | 中文 |
Funding Project | 原子核所项目组 |
Document Type | 期刊论文 |
Identifier | http://ir.sinap.ac.cn/handle/331007/11144 |
Collection | 中科院上海原子核所2003年前 |
Recommended Citation GB/T 7714 | 尤乃谈. 超纯P型硅探测器的制备和室温特性[J]. 核技术,1983(06). |
APA | 尤乃谈.(1983).超纯P型硅探测器的制备和室温特性.核技术(06). |
MLA | 尤乃谈."超纯P型硅探测器的制备和室温特性".核技术 .06(1983). |
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超纯P型硅探测器的制备和室温特性.caj(204KB) | 开放获取 | License | View Download |
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