CAS OpenIR  > 中科院上海原子核所2003年前
处理面垒探测器噪声不稳定及击穿现象的一种新方法
沈浩元
1986-09-28
Source Publication核技术
Issue09
Abstract<正> 硅面垒探测器是半导体核辐射探测器中发展较早的一种器件;大多数情况下;采用N-型硅单晶;有些实验室也使用P-型硅单晶制备面垒探测器。因为硅的禁带宽为1.1eV;所以硅探测器的工作温度范围比锗探测器宽;它能在常温下工作;但是在40℃以上工作时;器件的漏电流和噪声随偏压升高而增大;经过70℃以上高温试验;器件往往变坏。美国加州大学劳伦
Indexed ByCNKI
Language中文
Funding Project原子核所项目组
Document Type期刊论文
Identifierhttp://ir.sinap.ac.cn/handle/331007/11165
Collection中科院上海原子核所2003年前
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GB/T 7714
沈浩元. 处理面垒探测器噪声不稳定及击穿现象的一种新方法[J]. 核技术,1986(09).
APA 沈浩元.(1986).处理面垒探测器噪声不稳定及击穿现象的一种新方法.核技术(09).
MLA 沈浩元."处理面垒探测器噪声不稳定及击穿现象的一种新方法".核技术 .09(1986).
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