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大剂量P~+离子注入单晶硅的研究 | |
高剑侠; 朱德彰; 曹德新; 周祖尧 | |
1994-02-10 | |
Source Publication | 核技术
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Issue | 02 |
Abstract | 采用480keVP+离子注入单晶硅;注入剂量为1×1016cm-2。采用RBS、TEM技术测试样品;发现样品经600℃退火后;距样品表面约240nm处有一条低密度缺陷带。研究表明;这一现象与P+的剂量及退火温度有关。 |
Indexed By | CNKI |
Language | 中文 |
Funding Project | 原子核所项目组 |
Document Type | 期刊论文 |
Identifier | http://ir.sinap.ac.cn/handle/331007/11215 |
Collection | 中科院上海原子核所2003年前 |
Recommended Citation GB/T 7714 | 高剑侠,朱德彰,曹德新,等. 大剂量P~+离子注入单晶硅的研究[J]. 核技术,1994(02). |
APA | 高剑侠,朱德彰,曹德新,&周祖尧.(1994).大剂量P~+离子注入单晶硅的研究.核技术(02). |
MLA | 高剑侠,et al."大剂量P~+离子注入单晶硅的研究".核技术 .02(1994). |
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大剂量P~+离子注入单晶硅的研究.caj(192KB) | 开放获取 | License | View Download |
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