Knowledge Management System Of Shanghai Institute of Applied Physics, CAS
| 对国产高纯锗单晶纯度的估计 | |
| 王国干; 姚建亚 | |
| 1987-03-02 | |
| Source Publication | 核电子学与探测技术
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| Issue | 01 |
| Abstract | <正> 一、原理 我们测试高纯锗单晶的纯度是通过将被测试的锗材料制备成探测器;借测量探测器的全耗尽电压和pn结的电容-电压特性来实现的。在探测器的两边有薄的p~+和n~+接触;这两个接触的杂质浓度要比锗材料本身的杂质浓度大得多;因此可以用突变结关系计算探测器的耗尽层厚度。假定在锗材料中的杂质浓度是均匀的;对于一个平面型二极管的耗尽层厚度W=(2εV/qN)~(12)。式中;V为加在二极管上的反向偏压;N为锗单晶材料块的杂质浓度;ε为锗的介电常数:q为电子电荷。由这个公式知道;锗单晶的杂质浓度越低; |
| Indexed By | CNKI |
| Language | 中文 |
| Funding Project | 原子核所项目组 |
| Document Type | 期刊论文 |
| Identifier | http://ir.sinap.ac.cn/handle/331007/11309 |
| Collection | 中科院上海原子核所2003年前 |
| Recommended Citation GB/T 7714 | 王国干,姚建亚. 对国产高纯锗单晶纯度的估计[J]. 核电子学与探测技术,1987(01). |
| APA | 王国干,&姚建亚.(1987).对国产高纯锗单晶纯度的估计.核电子学与探测技术(01). |
| MLA | 王国干,et al."对国产高纯锗单晶纯度的估计".核电子学与探测技术 .01(1987). |
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| File Name/Size | DocType | Version | Access | License | ||
| 对国产高纯锗单晶纯度的估计.caj（128KB） | 开放获取 | License | View Download | |||
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