CAS OpenIR  > 中科院上海原子核所2003年前
对国产高纯锗单晶纯度的估计
王国干; 姚建亚
1987-03-02
Source Publication核电子学与探测技术
Issue01
Abstract<正> 一、原理 我们测试高纯锗单晶的纯度是通过将被测试的锗材料制备成探测器;借测量探测器的全耗尽电压和pn结的电容-电压特性来实现的。在探测器的两边有薄的p~+和n~+接触;这两个接触的杂质浓度要比锗材料本身的杂质浓度大得多;因此可以用突变结关系计算探测器的耗尽层厚度。假定在锗材料中的杂质浓度是均匀的;对于一个平面型二极管的耗尽层厚度W=(2εV/qN)~(12)。式中;V为加在二极管上的反向偏压;N为锗单晶材料块的杂质浓度;ε为锗的介电常数:q为电子电荷。由这个公式知道;锗单晶的杂质浓度越低;
Indexed ByCNKI
Language中文
Funding Project原子核所项目组
Document Type期刊论文
Identifierhttp://ir.sinap.ac.cn/handle/331007/11309
Collection中科院上海原子核所2003年前
Recommended Citation
GB/T 7714
王国干,姚建亚. 对国产高纯锗单晶纯度的估计[J]. 核电子学与探测技术,1987(01).
APA 王国干,&姚建亚.(1987).对国产高纯锗单晶纯度的估计.核电子学与探测技术(01).
MLA 王国干,et al."对国产高纯锗单晶纯度的估计".核电子学与探测技术 .01(1987).
Files in This Item: Download All
File Name/Size DocType Version Access License
对国产高纯锗单晶纯度的估计.caj(128KB) 开放获取LicenseView Download
Related Services
Recommend this item
Bookmark
Usage statistics
Export to Endnote
Google Scholar
Similar articles in Google Scholar
[王国干]'s Articles
[姚建亚]'s Articles
Baidu academic
Similar articles in Baidu academic
[王国干]'s Articles
[姚建亚]'s Articles
Bing Scholar
Similar articles in Bing Scholar
[王国干]'s Articles
[姚建亚]'s Articles
Terms of Use
No data!
Social Bookmark/Share
File name: 对国产高纯锗单晶纯度的估计.caj
Format: Unknown
This file does not support browsing at this time
All comments (0)
No comment.
 

Items in the repository are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.