CAS OpenIR  > 中科院上海原子核所2003年前
多孔硅的微结构与发光特性研究
刘小兵; 孙洁林; 袁帅; 廖良生; 何钧; 缪熙月; 范洪雷; 徐磊; 李民乾; 侯晓远
1997-08-30
Source Publication物理学报
Issue08
Abstract利用原子力显微镜(AFM)和光致荧光(PL)光谱对一系列直流腐蚀和脉冲腐蚀的多孔硅的微结构及发光特性进行了对比研究.表面和侧面的AFM结果表明;多孔硅表面呈“小山”状;有许多小的、突出的硅颗粒.在相同的腐蚀条件(等效)下;脉冲腐蚀的样品表面Si颗粒更加尖锐、突出;侧面的线状结构更明显;多孔硅层更厚.对应的PL谱;脉冲腐蚀的样品发光更强.量子限制效应的理论可以比较成功地解释这个结果
Indexed ByCNKI
Language中文
Funding Project原子核所项目组
Document Type期刊论文
Identifierhttp://ir.sinap.ac.cn/handle/331007/11316
Collection中科院上海原子核所2003年前
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GB/T 7714
刘小兵,孙洁林,袁帅,等. 多孔硅的微结构与发光特性研究[J]. 物理学报,1997(08).
APA 刘小兵.,孙洁林.,袁帅.,廖良生.,何钧.,...&侯晓远.(1997).多孔硅的微结构与发光特性研究.物理学报(08).
MLA 刘小兵,et al."多孔硅的微结构与发光特性研究".物理学报 .08(1997).
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