Knowledge Management System Of Shanghai Institute of Applied Physics, CAS
辐照LiF单晶中色心的正电子寿命谱研究 | |
彭郁卿; 郑万辉; 张怡萍; 包于洪; 李胜华 | |
1996-12-10 | |
Source Publication | 核技术
![]() |
Issue | 12 |
Abstract | 用60Co源的γ射线辐照纯的LiF单晶;剂量范围为0.99×103-1.3×106Gy;用快-慢符合系统测量正电子寿命谱;给出了第二寿命成分τ2及其强度差△I2随照射剂量的变化。结果表明;在剂量D≤1×104Gy范围内;τ2基本不变;平均值为291ps;△I2∝D1/2;与F心浓度NF∝D1/2系相似;表明有△I2∝NF;当剂量增加;F聚集心出现后;τ2变大;I2增加变慢;直至出现饱和。 |
Indexed By | CNKI |
Language | 中文 |
Funding Project | 原子核所项目组 |
Document Type | 期刊论文 |
Identifier | http://ir.sinap.ac.cn/handle/331007/11393 |
Collection | 中科院上海原子核所2003年前 |
Recommended Citation GB/T 7714 | 彭郁卿,郑万辉,张怡萍,等. 辐照LiF单晶中色心的正电子寿命谱研究[J]. 核技术,1996(12). |
APA | 彭郁卿,郑万辉,张怡萍,包于洪,&李胜华.(1996).辐照LiF单晶中色心的正电子寿命谱研究.核技术(12). |
MLA | 彭郁卿,et al."辐照LiF单晶中色心的正电子寿命谱研究".核技术 .12(1996). |
Files in This Item: | ||||||
File Name/Size | DocType | Version | Access | License | ||
辐照LiF单晶中色心的正电子寿命谱研究.(112KB) | 开放获取 | License | View Application Full Text |
Items in the repository are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.
Edit Comment