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| 辐照LiF单晶中色心的正电子寿命谱研究 | |
| 彭郁卿; 郑万辉; 张怡萍; 包于洪; 李胜华 | |
| 1996-12-10 | |
| Source Publication | 核技术
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| Issue | 12 |
| Abstract | 用６０Ｃｏ源的γ射线辐照纯的ＬｉＦ单晶;剂量范围为０．９９×１０３－１．３×１０６Ｇｙ;用快－慢符合系统测量正电子寿命谱;给出了第二寿命成分τ２及其强度差△Ｉ２随照射剂量的变化。结果表明;在剂量Ｄ≤１×１０４Ｇｙ范围内;τ２基本不变;平均值为２９１ｐｓ;△Ｉ２∝Ｄ１／２;与Ｆ心浓度ＮＦ∝Ｄ１／２系相似;表明有△Ｉ２∝ＮＦ;当剂量增加;Ｆ聚集心出现后;τ２变大;Ｉ２增加变慢;直至出现饱和。 |
| Indexed By | CNKI |
| Language | 中文 |
| Funding Project | 原子核所项目组 |
| Document Type | 期刊论文 |
| Identifier | http://ir.sinap.ac.cn/handle/331007/11393 |
| Collection | 中科院上海原子核所2003年前 |
| Recommended Citation GB/T 7714 | 彭郁卿,郑万辉,张怡萍,等. 辐照LiF单晶中色心的正电子寿命谱研究[J]. 核技术,1996(12). |
| APA | 彭郁卿,郑万辉,张怡萍,包于洪,&李胜华.(1996).辐照LiF单晶中色心的正电子寿命谱研究.核技术(12). |
| MLA | 彭郁卿,et al."辐照LiF单晶中色心的正电子寿命谱研究".核技术 .12(1996). |
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| 辐照LiF单晶中色心的正电子寿命谱研究.（112KB） | 开放获取 | License | View Application Full Text | |||
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