CAS OpenIR  > 中科院上海原子核所2003年前
高分辨率HPGe探测器及其稳定性
王国干; 尤乃谈; 姚建亚
1986-11-27
Source Publication核技术
Issue11
Abstract<正> 半导体探测器具有良好的能量分辨率;在能谱分析中已引起人们广泛的兴趣。Si材料原子序数(Z=14)较小;探测能量大于30keV的射线时;其效率迅速下降;因此人们选用Ge(Li)探测器。但它在制造和使用中存在两个主要的问题;一是必需用Li离子补偿Ge材料;二是Li在Ge中固有的不稳定性;使器件严禁升高到室温;即使是偶然的一次;也会导致器件的补偿度毁坏。这两个缺点;在用高纯Ge材料制备的探测器(HPGe探测器)中是不存在的;
Indexed ByCNKI
Language中文
Funding Project原子核所项目组
Document Type期刊论文
Identifierhttp://ir.sinap.ac.cn/handle/331007/11421
Collection中科院上海原子核所2003年前
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GB/T 7714
王国干,尤乃谈,姚建亚. 高分辨率HPGe探测器及其稳定性[J]. 核技术,1986(11).
APA 王国干,尤乃谈,&姚建亚.(1986).高分辨率HPGe探测器及其稳定性.核技术(11).
MLA 王国干,et al."高分辨率HPGe探测器及其稳定性".核技术 .11(1986).
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