CAS OpenIR  > 中科院上海原子核所2003年前
硅基材料芯片的组合离子束合成及分析
陈昌明; 潘浩昌; 朱德彰; 胡钧; 李民乾
1999-02-28
Source Publication高技术通讯
Issue02
Abstract用组合技术和离子束技术相结合的方法进行了硅基发光材料的研究。用组合离子束技术在硅基材料上制备了64个直径为2mm的单元-材料芯片;并对硅基材料芯片各单元进行了卢瑟辐背散射(RBS)、质子弹性散射(PES)和扫描阴极射线发光(CL)特性分析。组合离子束技术的应用将大大提高材料研究的效率。
Indexed ByCNKI
Language中文
Funding Project原子核所项目组
Document Type期刊论文
Identifierhttp://ir.sinap.ac.cn/handle/331007/11484
Collection中科院上海原子核所2003年前
Recommended Citation
GB/T 7714
陈昌明,潘浩昌,朱德彰,等. 硅基材料芯片的组合离子束合成及分析[J]. 高技术通讯,1999(02).
APA 陈昌明,潘浩昌,朱德彰,胡钧,&李民乾.(1999).硅基材料芯片的组合离子束合成及分析.高技术通讯(02).
MLA 陈昌明,et al."硅基材料芯片的组合离子束合成及分析".高技术通讯 .02(1999).
Files in This Item: Download All
File Name/Size DocType Version Access License
硅基材料芯片的组合离子束合成及分析.ca(61KB) 开放获取LicenseView Download
Related Services
Recommend this item
Bookmark
Usage statistics
Export to Endnote
Google Scholar
Similar articles in Google Scholar
[陈昌明]'s Articles
[潘浩昌]'s Articles
[朱德彰]'s Articles
Baidu academic
Similar articles in Baidu academic
[陈昌明]'s Articles
[潘浩昌]'s Articles
[朱德彰]'s Articles
Bing Scholar
Similar articles in Bing Scholar
[陈昌明]'s Articles
[潘浩昌]'s Articles
[朱德彰]'s Articles
Terms of Use
No data!
Social Bookmark/Share
File name: 硅基材料芯片的组合离子束合成及分析.caj
Format: Unknown
This file does not support browsing at this time
All comments (0)
No comment.
 

Items in the repository are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.