溅射原子的初始位置分布和表面出口位置分布

CAS OpenIR > 中科院上海原子核所2003年前

	溅射原子的初始位置分布和表面出口位置分布
	郑里平
	1988-03-31
Source Publication	半导体学报
Issue	03
Abstract	用物理溅射的Monte Carlo模拟程序TCISIS;研究了在O~+离子与Ar~+离子轰击下Al靶与Si靶的溅射原子的初始位置分布和表面出口位置分布.讨论了离子束溅射横向可达分辨率的物理限制.所计算的溅射原子的初始位置分布和表面出口位置分布的宽度;对于离子束溅射刻蚀的微细加工和SLMS设计是有参考价值的.计算的溅射原子的逃逸深度分布表明;溅射原子的大多数来自于表面前2个原子层.
Indexed By	CNKI
Language	中文
Funding Project	原子核所项目组
Document Type	期刊论文
Identifier	http://ir.sinap.ac.cn/handle/331007/11648
Collection	中科院上海原子核所2003年前
Recommended Citation GB/T 7714	郑里平. 溅射原子的初始位置分布和表面出口位置分布[J]. 半导体学报,1988(03).
APA	郑里平.(1988).溅射原子的初始位置分布和表面出口位置分布.半导体学报(03).
MLA	郑里平."溅射原子的初始位置分布和表面出口位置分布".半导体学报 .03(1988).

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Format:	Unknown

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