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| 溅射原子的初始位置分布和表面出口位置分布 | |
| 郑里平 | |
| 1988-03-31 | |
| Source Publication | 半导体学报
 |
| Issue | 03 |
| Abstract | 用物理溅射的Monte Carlo模拟程序TCISIS;研究了在O~+离子与Ar~+离子轰击下Al靶与Si靶的溅射原子的初始位置分布和表面出口位置分布.讨论了离子束溅射横向可达分辨率的物理限制.所计算的溅射原子的初始位置分布和表面出口位置分布的宽度;对于离子束溅射刻蚀的微细加工和SLMS设计是有参考价值的.计算的溅射原子的逃逸深度分布表明;溅射原子的大多数来自于表面前2个原子层. |
| Indexed By | CNKI |
| Language | 中文 |
| Funding Project | 原子核所项目组 |
| Document Type | 期刊论文 |
| Identifier | http://ir.sinap.ac.cn/handle/331007/11648 |
| Collection | 中科院上海原子核所2003年前 |
| Recommended Citation GB/T 7714 | 郑里平. 溅射原子的初始位置分布和表面出口位置分布[J]. 半导体学报,1988(03). |
| APA | 郑里平.(1988).溅射原子的初始位置分布和表面出口位置分布.半导体学报(03). |
| MLA | 郑里平."溅射原子的初始位置分布和表面出口位置分布".半导体学报 .03(1988). |
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| File Name/Size | DocType | Version | Access | License | ||
| 溅射原子的初始位置分布和表面出口位置分布（204KB） | 开放获取 | License | View Application Full Text | |||
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