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溅射原子角分布的同位素效应 | |
王震遐; 朱福英; 陈文彪; 张衡山; 张阿虎 | |
1986-03-02 | |
Source Publication | 核技术
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Issue | 02 |
Abstract | 本文报道了用50keV Ar~+离子在垂直入射情况下对Cu元素进行溅射的实验。研究了作为发射角函数的同位素富集行为。结果表明;较轻的同位素无富集;而较重的同位素在从~5°到80°发射角范围内都是富集的。 |
Indexed By | CNKI |
Language | 中文 |
Funding Project | 原子核所项目组 |
Document Type | 期刊论文 |
Identifier | http://ir.sinap.ac.cn/handle/331007/11649 |
Collection | 中科院上海原子核所2003年前 |
Recommended Citation GB/T 7714 | 王震遐,朱福英,陈文彪,等. 溅射原子角分布的同位素效应[J]. 核技术,1986(02). |
APA | 王震遐,朱福英,陈文彪,张衡山,&张阿虎.(1986).溅射原子角分布的同位素效应.核技术(02). |
MLA | 王震遐,et al."溅射原子角分布的同位素效应".核技术 .02(1986). |
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溅射原子角分布的同位素效应.caj(302KB) | 开放获取 | License | View Download |
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