CAS OpenIR  > 中科院上海原子核所2003年前
离子溅射诱发单相合金Cu—12at.%Au表面“元素局域富集”
王震遐; 章骥平; 潘冀生; 陶振兰; 朱福英; 张慧明; 赵烈
1994-06-10
Source Publication核技术
Issue06
Abstract用扫描电子显微镜结合电子探针微分析(SEM/EPMA)技术测定了溅射诱发的靶点表面成份变化;观察了表面形貌结构凸起和凹陷处的成分差别.实验结果表明.单相合金Cu-12at.%Au在30keVAr+离子溅射过程中产生了“表面元素局域富集”现象。根据“溅射-形貌增强元素局域富集模型”;它包括元素局域富集初级阶段和毛细压力发生的选择性诱发力的作用.并据此对实验结果进行了讨论。
Indexed ByCNKI
Language中文
Funding Project原子核所项目组
Document Type期刊论文
Identifierhttp://ir.sinap.ac.cn/handle/331007/11753
Collection中科院上海原子核所2003年前
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GB/T 7714
王震遐,章骥平,潘冀生,等. 离子溅射诱发单相合金Cu—12at.%Au表面“元素局域富集”[J]. 核技术,1994(06).
APA 王震遐.,章骥平.,潘冀生.,陶振兰.,朱福英.,...&赵烈.(1994).离子溅射诱发单相合金Cu—12at.%Au表面“元素局域富集”.核技术(06).
MLA 王震遐,et al."离子溅射诱发单相合金Cu—12at.%Au表面“元素局域富集”".核技术 .06(1994).
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