离子注入法制备GaAs量子阱集成多波长发光芯片

CAS OpenIR > 中科院上海原子核所2003年前

	离子注入法制备GaAs量子阱集成多波长发光芯片
	李志锋; 刘兴权; 陈昌明; 陆卫; 沈学础; 朱德彰; 潘浩昌; 胡军; 李明乾
	2000-06-25
Source Publication	红外与毫米波学报
Issue	03
Abstract	报道了用离子注入方法和组合技术制备的 Al Ga As/Ga As单量子阱多波长发光集成芯片 ;利用量子阱界面混合原理在同一块 Ga As衬底片上获得了 2 0多个发光波长从 787～ 72 4nm的 Ga As量子阱发光单元 ;研究了不同剂量的 As和 H离子分别单独注入和迭加组合注入对量子阱发光峰位的影响 ;采用了组合技术和离子注入技术大大简化了制备工艺过程 ;这种发光芯片对于波分复用器件和建立离子注入数据库等方面都有重要的意义 .
Indexed By	CNKI
Language	中文
Funding Project	原子核所项目组
Document Type	期刊论文
Identifier	http://ir.sinap.ac.cn/handle/331007/11761
Collection	中科院上海原子核所2003年前
Recommended Citation GB/T 7714	李志锋,刘兴权,陈昌明,等. 离子注入法制备GaAs量子阱集成多波长发光芯片[J]. 红外与毫米波学报,2000(03).
APA	李志锋.,刘兴权.,陈昌明.,陆卫.,沈学础.,...&李明乾.(2000).离子注入法制备GaAs量子阱集成多波长发光芯片.红外与毫米波学报(03).
MLA	李志锋,et al."离子注入法制备GaAs量子阱集成多波长发光芯片".红外与毫米波学报 .03(2000).

Related Services

Bookmark

Google Scholar

Similar articles in Bing Scholar

Terms of Use

No data!

Social Bookmark/Share

File name:	离子注入法制备GaAs量子阱集成多波长发光芯片.caj
Format:	Unknown

This file does not support browsing at this time

All comments (0)

No comment.

The comment function is only available to registered usersLog In

If you have any objections to this item, please fill out the form below and the administrator will contact you as soon as possible.
Content:
Email：	*
Institution:
Verification Code:	Refresh

Any comments and suggestions are welcomed.
Title:	*
Content:
Email：	*
Verification Code:	Refresh

中国科学院上海应用物理研究所机构知识库