CAS OpenIR  > 中科院上海原子核所2003年前
离子注入法制备GaAs量子阱集成多波长发光芯片
李志锋; 刘兴权; 陈昌明; 陆卫; 沈学础; 朱德彰; 潘浩昌; 胡军; 李明乾
2000-06-25
Source Publication红外与毫米波学报
Issue03
Abstract报道了用离子注入方法和组合技术制备的 Al Ga As/Ga As单量子阱多波长发光集成芯片 ;利用量子阱界面混合原理在同一块 Ga As衬底片上获得了 2 0多个发光波长从 787~ 72 4nm的 Ga As量子阱发光单元 ;研究了不同剂量的 As和 H离子分别单独注入和迭加组合注入对量子阱发光峰位的影响 ;采用了组合技术和离子注入技术大大简化了制备工艺过程 ;这种发光芯片对于波分复用器件和建立离子注入数据库等方面都有重要的意义 .
Indexed ByCNKI
Language中文
Funding Project原子核所项目组
Document Type期刊论文
Identifierhttp://ir.sinap.ac.cn/handle/331007/11761
Collection中科院上海原子核所2003年前
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GB/T 7714
李志锋,刘兴权,陈昌明,等. 离子注入法制备GaAs量子阱集成多波长发光芯片[J]. 红外与毫米波学报,2000(03).
APA 李志锋.,刘兴权.,陈昌明.,陆卫.,沈学础.,...&李明乾.(2000).离子注入法制备GaAs量子阱集成多波长发光芯片.红外与毫米波学报(03).
MLA 李志锋,et al."离子注入法制备GaAs量子阱集成多波长发光芯片".红外与毫米波学报 .03(2000).
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