CAS OpenIR  > 中科院上海原子核所2003年前
示踪法优选半导体清洗剂
荣廷文; 秦俊法; 王学波; 李洪田
1982
Source Publication半导体技术
Issue06
Abstract<正>一、前言 在半导体器件生产工艺中;硅片的清洗是一个相当重要的环节;对成品的合格率是有很大影响的。硅片上的污染可分为有机物、金属离子和金属原子等。对于硅片的清洗;一般使用腐蚀性较强的酸、碱等。本工作是采用无腐蚀性的表面活性剂;对硅片进行清洗。其清洗机理;主要是通过表面张力差异;去除液体的排代作用达到清洗的目的。我们从79年开始选用了多种表面活性剂进行多种实验;从而选出了合适的清洗剂。并在半导体器件的生产工艺中得到了验证。
Indexed ByCNKI
Language中文
Funding Project原子核所项目组
Document Type期刊论文
Identifierhttp://ir.sinap.ac.cn/handle/331007/11992
Collection中科院上海原子核所2003年前
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GB/T 7714
荣廷文,秦俊法,王学波,等. 示踪法优选半导体清洗剂[J]. 半导体技术,1982(06).
APA 荣廷文,秦俊法,王学波,&李洪田.(1982).示踪法优选半导体清洗剂.半导体技术(06).
MLA 荣廷文,et al."示踪法优选半导体清洗剂".半导体技术 .06(1982).
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