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新型~(68)Ge/~(68)Ga发生器研究Ⅱ.CeO_2支持体的制备条件与发 | |
宋明; 包伯荣 | |
1995 | |
Source Publication | 同位素
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Issue | 01 |
Abstract | 在不同条件下制备了一系列CeO_2支持体;对它们的Ge、Ga吸附性质进行了研究;选择其中的三种制备了实验性的 ̄(68)Ge/ ̄(68)Ga发生器;并考查了它们的淋洗性能。 |
Indexed By | CNKI |
Language | 中文 |
Funding Project | 原子核所项目组 |
Document Type | 期刊论文 |
Identifier | http://ir.sinap.ac.cn/handle/331007/12163 |
Collection | 中科院上海原子核所2003年前 |
Recommended Citation GB/T 7714 | 宋明,包伯荣. 新型~(68)Ge/~(68)Ga发生器研究Ⅱ.CeO_2支持体的制备条件与发[J]. 同位素,1995(01). |
APA | 宋明,&包伯荣.(1995).新型~(68)Ge/~(68)Ga发生器研究Ⅱ.CeO_2支持体的制备条件与发.同位素(01). |
MLA | 宋明,et al."新型~(68)Ge/~(68)Ga发生器研究Ⅱ.CeO_2支持体的制备条件与发".同位素 .01(1995). |
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新型~(68)Ge/~(68)Ga发生器(147KB) | 开放获取 | License | View Download |
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