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CAS OpenIR  > 中科院上海原子核所2003年前
新型~（68）Ge／~（68）Ga发生器研究Ⅱ．CeO_2支持体的制备条件与发
宋明; 包伯荣
1995
Source Publication同位素
Issue01
Abstract在不同条件下制备了一系列ＣｅＯ＿２支持体;对它们的Ｇｅ、Ｇａ吸附性质进行了研究;选择其中的三种制备了实验性的￣（６８）Ｇｅ／￣（６８）Ｇａ发生器;并考查了它们的淋洗性能。
Indexed ByCNKI
Language中文
Funding Project原子核所项目组
Document Type期刊论文
Identifierhttp://ir.sinap.ac.cn/handle/331007/12163
Collection中科院上海原子核所2003年前
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GB/T 7714		 宋明,包伯荣. 新型~（68）Ge／~（68）Ga发生器研究Ⅱ．CeO_2支持体的制备条件与发[J]. 同位素,1995(01).
APA 宋明,&包伯荣.(1995).新型~（68）Ge／~（68）Ga发生器研究Ⅱ．CeO_2支持体的制备条件与发.同位素(01).
MLA 宋明,et al."新型~（68）Ge／~（68）Ga发生器研究Ⅱ．CeO_2支持体的制备条件与发".同位素 .01(1995).
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File name: 新型~（68）Ge／~（68）Ga发生器研究Ⅱ．CeO_2支持体的制备条件与发.caj
Format: Unknown
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