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用高分辨率沟道背散射谱仪研究硅的低能氮离子氮化 | |
朱德彰; 潘浩昌; 曹建清; 朱福英; 陈国明; 陈国樑; 杨絜; 邹世昌 | |
1990 | |
Source Publication | 物理学报
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Issue | 08 |
Abstract | 用高分辨率沟道背散射技术研究了低能N离子注入单晶硅形成氮化硅的过程。测出了N和位移Si原子的深度分布。提出在N离子注入时同时存在着三个过程——注入、溅射和释放。由此建立了一个微分方程描写样品中剩余N的浓度变化;并讨论了氮化硅形成机制。 |
Indexed By | CNKI |
Language | 中文 |
Funding Project | 原子核所项目组 |
Document Type | 期刊论文 |
Identifier | http://ir.sinap.ac.cn/handle/331007/12307 |
Collection | 中科院上海原子核所2003年前 |
Recommended Citation GB/T 7714 | 朱德彰,潘浩昌,曹建清,等. 用高分辨率沟道背散射谱仪研究硅的低能氮离子氮化[J]. 物理学报,1990(08). |
APA | 朱德彰.,潘浩昌.,曹建清.,朱福英.,陈国明.,...&邹世昌.(1990).用高分辨率沟道背散射谱仪研究硅的低能氮离子氮化.物理学报(08). |
MLA | 朱德彰,et al."用高分辨率沟道背散射谱仪研究硅的低能氮离子氮化".物理学报 .08(1990). |
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