用高分辨率沟道背散射谱仪研究硅的低能氮离子氮化

CAS OpenIR > 中科院上海原子核所2003年前

	用高分辨率沟道背散射谱仪研究硅的低能氮离子氮化
	朱德彰; 潘浩昌; 曹建清; 朱福英; 陈国明; 陈国樑; 杨絜; 邹世昌
	1990
Source Publication	物理学报
Issue	08
Abstract	用高分辨率沟道背散射技术研究了低能N离子注入单晶硅形成氮化硅的过程。测出了N和位移Si原子的深度分布。提出在N离子注入时同时存在着三个过程——注入、溅射和释放。由此建立了一个微分方程描写样品中剩余N的浓度变化;并讨论了氮化硅形成机制。
Indexed By	CNKI
Language	中文
Funding Project	原子核所项目组
Document Type	期刊论文
Identifier	http://ir.sinap.ac.cn/handle/331007/12307
Collection	中科院上海原子核所2003年前
Recommended Citation GB/T 7714	朱德彰,潘浩昌,曹建清,等. 用高分辨率沟道背散射谱仪研究硅的低能氮离子氮化[J]. 物理学报,1990(08).
APA	朱德彰.,潘浩昌.,曹建清.,朱福英.,陈国明.,...&邹世昌.(1990).用高分辨率沟道背散射谱仪研究硅的低能氮离子氮化.物理学报(08).
MLA	朱德彰,et al."用高分辨率沟道背散射谱仪研究硅的低能氮离子氮化".物理学报 .08(1990).

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Format:	Unknown

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