CAS OpenIR  > 中科院上海原子核所2003年前
用沟道技术研究反应离子束刻蚀所引起的晶体表面损伤
曹德新; 任琮欣; 杨洁; 周祖尧; 周伟; 邹世昌
1986
Source Publication核技术
Issue03
Abstract<正> 在大规模集成电路发展过程中;随着集成度的不断提高;要求电路的线条不断变细;等离子、离子束及反应离子刻蚀等加工工艺将起着重要的作用。它们为大规模集成电路生产提供了强有力的微细加工手段。离子束刻蚀类似于机械研磨;离子束能量和样品的位置可变;具有各向异性。在加工过程中;样品表面存在一定量的损伤;从貌相看还存在起伏不平的“小丘”。等离子和反应离子刻蚀克服了各项异性;但离子能量和刻蚀的方向不可调节;所以也有局限性。
Indexed ByCNKI
Language中文
Funding Project原子核所项目组
Document Type期刊论文
Identifierhttp://ir.sinap.ac.cn/handle/331007/12310
Collection中科院上海原子核所2003年前
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GB/T 7714
曹德新,任琮欣,杨洁,等. 用沟道技术研究反应离子束刻蚀所引起的晶体表面损伤[J]. 核技术,1986(03).
APA 曹德新,任琮欣,杨洁,周祖尧,周伟,&邹世昌.(1986).用沟道技术研究反应离子束刻蚀所引起的晶体表面损伤.核技术(03).
MLA 曹德新,et al."用沟道技术研究反应离子束刻蚀所引起的晶体表面损伤".核技术 .03(1986).
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