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用时间分辨反射率技术研究硅的固相外延 | |
王小兵; 朱福英; 潘浩昌; 曹德新; 朱德彰 | |
1994 | |
Source Publication | 核技术
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Issue | 08 |
Abstract | 用时间分辨反射率技术实时测量了Si+、As+注入单晶硅的固相外延生长速率和外延层厚度;并与背散射沟道方法测得的非晶层厚度进行了比较。介绍了测量原理;分析了实验结果. |
Indexed By | CNKI |
Language | 中文 |
Funding Project | 原子核所项目组 |
Document Type | 期刊论文 |
Identifier | http://ir.sinap.ac.cn/handle/331007/12338 |
Collection | 中科院上海原子核所2003年前 |
Recommended Citation GB/T 7714 | 王小兵,朱福英,潘浩昌,等. 用时间分辨反射率技术研究硅的固相外延[J]. 核技术,1994(08). |
APA | 王小兵,朱福英,潘浩昌,曹德新,&朱德彰.(1994).用时间分辨反射率技术研究硅的固相外延.核技术(08). |
MLA | 王小兵,et al."用时间分辨反射率技术研究硅的固相外延".核技术 .08(1994). |
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用时间分辨反射率技术研究硅的固相外延.c(178KB) | 开放获取 | License | View Download |
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