CAS OpenIR  > 中科院上海原子核所2003年前
制备高分辨率Si(Li)X射线探测器的进展
王国干; 姚建亚
1985
Source Publication核技术
Issue07
Abstract<正> Si(Li)半导体探测器对低能X射线具有能量分辨率好、探测效率高、输出脉冲正比于入射光子能量等特点;故已日益引起人们的兴趣。为使Si(Li)探测器有更高的能量分辨率;制造者正努力研究工作在低温的探测器和前置放大器。一般的Si探测器都有一个耗尽层范围;这个耗尽层是对射线灵敏的部分;它的厚度ω可表示为ω=0.3(ρν)~(1/2);这里ρ是使用的P型材料的电阻率;ν;是加到探测器上的反向偏压;由前式可知;用10000Ω/cm的材料;加200V偏压;也只能得到0.4mm厚的耗尽层;这种厚度对测量X射线显然是太薄了;即使是
Indexed ByCNKI
Language中文
Funding Project原子核所项目组
Document Type期刊论文
Identifierhttp://ir.sinap.ac.cn/handle/331007/12419
Collection中科院上海原子核所2003年前
Recommended Citation
GB/T 7714
王国干,姚建亚. 制备高分辨率Si(Li)X射线探测器的进展[J]. 核技术,1985(07).
APA 王国干,&姚建亚.(1985).制备高分辨率Si(Li)X射线探测器的进展.核技术(07).
MLA 王国干,et al."制备高分辨率Si(Li)X射线探测器的进展".核技术 .07(1985).
Files in This Item: Download All
File Name/Size DocType Version Access License
制备高分辨率Si(Li)X射线探测器的进(197KB) 开放获取LicenseView Download
Related Services
Recommend this item
Bookmark
Usage statistics
Export to Endnote
Google Scholar
Similar articles in Google Scholar
[王国干]'s Articles
[姚建亚]'s Articles
Baidu academic
Similar articles in Baidu academic
[王国干]'s Articles
[姚建亚]'s Articles
Bing Scholar
Similar articles in Bing Scholar
[王国干]'s Articles
[姚建亚]'s Articles
Terms of Use
No data!
Social Bookmark/Share
File name: 制备高分辨率Si(Li)X射线探测器的进展.caj
Format: Unknown
This file does not support browsing at this time
All comments (0)
No comment.
 

Items in the repository are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.