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质子活化分析测定硅中氧——热解法分离~(18)F | |
成源棣; 朱新芳; 华芝芬 | |
1980 | |
Source Publication | 核技术
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Issue | 06 |
Abstract | <正> 采用1.2米回旋加速器产生的质子束(6.7MeV、约8μA)照射硅样品;使氧发生~(18)O(p;n)~(18)F核反应;~(18)F半衰期为110分。辐照后用化学处理腐蚀表面;然后用热解分离法分离出~(18)F;用蒸馏水吸收、处理转化 |
Indexed By | CNKI |
Language | 中文 |
Funding Project | 原子核所项目组 |
Document Type | 期刊论文 |
Identifier | http://ir.sinap.ac.cn/handle/331007/12423 |
Collection | 中科院上海原子核所2003年前 |
Recommended Citation GB/T 7714 | 成源棣,朱新芳,华芝芬. 质子活化分析测定硅中氧——热解法分离~(18)F[J]. 核技术,1980(06). |
APA | 成源棣,朱新芳,&华芝芬.(1980).质子活化分析测定硅中氧——热解法分离~(18)F.核技术(06). |
MLA | 成源棣,et al."质子活化分析测定硅中氧——热解法分离~(18)F".核技术 .06(1980). |
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质子活化分析测定硅中氧——热解法分离~((142KB) | 开放获取 | License | View Download |
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