Knowledge Management System Of Shanghai Institute of Applied Physics, CAS
| 组合离子束技术在硅基材料芯片中的应用 | |
| 陈昌明; 潘浩昌; 黄建鸣; 朱德彰; 曹建清; 叶伯年; 胡钧; 李民乾 | |
| 1999 | |
| Source Publication | 核技术
 |
| Issue | 02 |
| Abstract | 将组合技术和离子束技术结合起来;用于硅基发光材料的研究。用组合离子束技术在硅 基材料上制备了６４个直径为２ｍｍ的单元──材料芯片;并对硅基材料芯片各单元进行了卢瑟辐 背散射、质子弹性散射和扫描阴极射线发光特性分析。 |
| Indexed By | CNKI |
| Language | 中文 |
| Funding Project | 原子核所项目组 |
| Document Type | 期刊论文 |
| Identifier | http://ir.sinap.ac.cn/handle/331007/12475 |
| Collection | 中科院上海原子核所2003年前 |
| Recommended Citation GB/T 7714 | 陈昌明,潘浩昌,黄建鸣,等. 组合离子束技术在硅基材料芯片中的应用[J]. 核技术,1999(02). |
| APA | 陈昌明.,潘浩昌.,黄建鸣.,朱德彰.,曹建清.,...&李民乾.(1999).组合离子束技术在硅基材料芯片中的应用.核技术(02). |
| MLA | 陈昌明,et al."组合离子束技术在硅基材料芯片中的应用".核技术 .02(1999). |
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| 组合离子束技术在硅基材料芯片中的应用.c（168KB） | 开放获取 | License | View Download | |||
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