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组合离子束技术在硅基材料芯片中的应用 | |
陈昌明; 潘浩昌; 黄建鸣; 朱德彰; 曹建清; 叶伯年; 胡钧; 李民乾 | |
1999 | |
Source Publication | 核技术
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Issue | 02 |
Abstract | 将组合技术和离子束技术结合起来;用于硅基发光材料的研究。用组合离子束技术在硅 基材料上制备了64个直径为2mm的单元──材料芯片;并对硅基材料芯片各单元进行了卢瑟辐 背散射、质子弹性散射和扫描阴极射线发光特性分析。 |
Indexed By | CNKI |
Language | 中文 |
Funding Project | 原子核所项目组 |
Document Type | 期刊论文 |
Identifier | http://ir.sinap.ac.cn/handle/331007/12475 |
Collection | 中科院上海原子核所2003年前 |
Recommended Citation GB/T 7714 | 陈昌明,潘浩昌,黄建鸣,等. 组合离子束技术在硅基材料芯片中的应用[J]. 核技术,1999(02). |
APA | 陈昌明.,潘浩昌.,黄建鸣.,朱德彰.,曹建清.,...&李民乾.(1999).组合离子束技术在硅基材料芯片中的应用.核技术(02). |
MLA | 陈昌明,et al."组合离子束技术在硅基材料芯片中的应用".核技术 .02(1999). |
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组合离子束技术在硅基材料芯片中的应用.c(168KB) | 开放获取 | License | View Download |
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