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| Hastelloy N合金He离子辐照后的正电子湮没寿命谱研究 | |
| 林建波; 何上明; 李爱国; 余笑寒; 曹兴忠; 王宝义; 李卓昕 | |
| 2012 | |
| Source Publication | 第十一届全国正电子湮没谱学会议论文集 |
| Pages | 1 |
| Conference Date | 2012 |
| Funding Organization | 中国核物理学会正电子谱学专业委员会、四川大学物理科学与技术学院、中国科学院高能物理研究所、四川大学辐射物理及技术教育部重点实验室 |
| Abstract | 采用正电子湮没寿命谱方法研究了不同剂量He离子辐照后的Hastelloy N合金微结构。He离子能量为4.5 MeV,辐照剂量分别为8×10~(14)/cm~2、3×10~(15)/cm~2和1×10~(16)/cm~2。辐照后合金存在单空位、双空位、位错和空位团等缺陷。随着辐照剂量的增大,合金中的单双空位和位错增多;高剂量下空位和位错出现了回复现象,单双空位以及位错的浓度逐渐降低,且空位更多地聚集成为空位团;另外,随辐照剂量增加空位团尺寸变大,高剂量下空位团尺寸变小,但空位团的浓度逐渐变大。 |
| Keyword | Hastelloy N合金 辐照损伤 位错 缺陷 空位 正电子湮灭寿命 |
| Indexed By | CNKI |
| Funding Project | 应物所课题组 |
| Language | 中文 |
| Document Type | 会议论文 |
| Identifier | http://ir.sinap.ac.cn/handle/331007/12665 |
| Collection | 中科院上海应用物理研究所2011-2020年 |
| Recommended Citation GB/T 7714 | 林建波,何上明,李爱国,等. Hastelloy N合金He离子辐照后的正电子湮没寿命谱研究[C],2012:1. |
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| HastelloyN合金He离子辐照后的（48KB） | 开放获取 | License | View Application Full Text | |||
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