CAS OpenIR  > 中科院上海应用物理研究所2011-2019年
散射中子对带屏蔽体的~(252)Cf同位素中子源辐射场的影响
刘立兴; 夏晓彬; 盛尹祥子; 陈峰
2013-10-10
Source Publication核技术
Issue10Pages:16-20
Abstract同位素中子源和中子刻度室在实际使用中通常带有屏蔽体。本文采用蒙特卡罗计算与实验结合的方法,研究了散射中子对带屏蔽体的252Cf同位素中子源辐射场的影响。通过计算带屏蔽体的252Cf中子源和裸252Cf中子源的中子能谱、中子注量率和中子周围剂量当量率,分析了屏蔽体产生的散射中子对辐射场的影响。依据蒙特卡罗计算所获得的有、无源室墙壁、地面和屋顶条件下的中子注量率和中子周围剂量当量率,分析了源室墙壁、地面和屋顶所产生的散射中子对辐射场的影响。计算结果表明,该中子辐射场的平均中子通量-周围剂量当量转换因子由裸252Cf中子源的385 pSv·cm2降至280 pSv·cm2,源室的墙壁、地面和屋顶产生...
Keyword中子辐射场 屏蔽体 散射中子 蒙特卡罗方法
Indexed ByCNKI
Language中文
Funding Project应物所项目组
Document Type期刊论文
Identifierhttp://ir.sinap.ac.cn/handle/331007/13540
Collection中科院上海应用物理研究所2011-2019年
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GB/T 7714
刘立兴,夏晓彬,盛尹祥子,等. 散射中子对带屏蔽体的~(252)Cf同位素中子源辐射场的影响[J]. 核技术,2013(10):16-20.
APA 刘立兴,夏晓彬,盛尹祥子,&陈峰.(2013).散射中子对带屏蔽体的~(252)Cf同位素中子源辐射场的影响.核技术(10),16-20.
MLA 刘立兴,et al."散射中子对带屏蔽体的~(252)Cf同位素中子源辐射场的影响".核技术 .10(2013):16-20.
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