CAS OpenIR  > 中科院上海应用物理研究所2011-2019年
SLED模型的完善和3dB耦合器性能研究
李林1; 顾强1
2015
Source Publication核电子学与探测技术
Issue2Pages:180-184
Subtype期刊文献
Abstract采用通用的非理想3d B耦合器散射矩阵进行模型完善。利用这一完善的模型对3d B误差进行了分析,研究了3d B耦合器误差对能量倍增器的倍增因子、输出信号峰值和反射信号峰值的影响。为制造和加工3d B耦合器的所允许的误差及其控制提供了理论参考。结果表明:功率分配不平衡误差及其相位关系偏差均可导致能量倍增因子的下降和部分功率发射回速调管。在能量倍增因子的平坦度要求控制在0.02%以内时,3d B耦合器的功率不平衡因子δ<0.035,相位偏差θ<10。
KeywordSlac能量倍增器 3db耦合器 Rf脉冲压缩器 能量倍增因子
Indexed By其他
Language中文
Document Type期刊论文
Identifierhttp://ir.sinap.ac.cn/handle/331007/24261
Collection中科院上海应用物理研究所2011-2019年
Affiliation1.中国科学院上海应用物理研究所
2.中国科学院大学
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GB/T 7714
李林,顾强. SLED模型的完善和3dB耦合器性能研究[J]. 核电子学与探测技术,2015(2):180-184.
APA 李林,&顾强.(2015).SLED模型的完善和3dB耦合器性能研究.核电子学与探测技术(2),180-184.
MLA 李林,et al."SLED模型的完善和3dB耦合器性能研究".核电子学与探测技术 .2(2015):180-184.
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