CAS OpenIR  > 中科院上海应用物理研究所2011-2019年
康普顿γ光源SLEGS对长寿命裂变产物~(126)Sn的嬗变潜力
谭桢干1; 李卓成1; 罗文1; 王晓冬1
2015
Source Publication发光学报
Issue9Pages:1082-1087
Subtype期刊文献
Abstract结合激光康普顿散射模拟程序4D-MCLCSS和Geant4软件包,模拟上海激光电子γ源(SLEGS)的γ光产生及其对长寿命裂变产物126Sn的光核嬗变过程,研究嬗变率与嬗变靶几何参数的依赖关系,并初步诊断基于SLEGS的光核嬗变产物分布,获得126Sn嬗变靶的最佳靶厚和半径分别为16 cm和0.4 cm,对应的嬗变率为1.89×106/s。研究结果表明:基于SLEGS的光核嬗变率比强激光驱动的轫致辐射法要高2倍,而且升级潜力巨大。
Keyword光核嬗变 Slegs 126sn Geant4
Indexed By其他
Language中文
Document Type期刊论文
Identifierhttp://ir.sinap.ac.cn/handle/331007/24310
Collection中科院上海应用物理研究所2011-2019年
Affiliation1.南华大学核科学技术学院
2.中国科学院上海应用物理研究所
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GB/T 7714
谭桢干,李卓成,罗文,等. 康普顿γ光源SLEGS对长寿命裂变产物~(126)Sn的嬗变潜力[J]. 发光学报,2015(9):1082-1087.
APA 谭桢干,李卓成,罗文,&王晓冬.(2015).康普顿γ光源SLEGS对长寿命裂变产物~(126)Sn的嬗变潜力.发光学报(9),1082-1087.
MLA 谭桢干,et al."康普顿γ光源SLEGS对长寿命裂变产物~(126)Sn的嬗变潜力".发光学报 .9(2015):1082-1087.
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