一种电子束低温发热测量系统
崔剑; 许皆平; 张正臣; 李明; 徐俊杰; 郁静芳; 樊勇; 季现凯; 江勇
2013-12-10
专利权人中国科学院上海应用物理研究所
授权国家中华人民共和国
专利类型实用新型
摘要本实用新型提供一种电子束低温发热测量系统,用于测量电子束在真空、低温环境下的发热量,其特征在于,该系统包括:真空室;位于所述真空室内以供所述电子束穿过的冷屏;位于所述冷屏内并用于接收所述电子束的发热量的金属板;若干设置在所述金属板上的低温传感器;位于所述真空室外并与所述低温传感器连接的温度检测仪;用于保持所述真空室内的真空环境的真空泵;以及用于保持所述真空室内的低温环境的制冷机。本实用新型的测量系统可以精确测量处于真空室内的电子束在低温环境下的发热,为电子束储存环的设计提供参考。
分类号G01N25/20;G01K17/00;G01K7/22
专利号CN203720119
语种中文
申请号CN201320811554
文献类型专利
条目标识符http://ir.sinap.ac.cn/handle/331007/25390
专题中科院上海应用物理研究所2011-2018年
作者单位中国科学院上海应用物理研究所
推荐引用方式
GB/T 7714
崔剑,许皆平,张正臣,等. 一种电子束低温发热测量系统. CN203720119[P]. 2013-12-10.
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CN201320811554.pdf(247KB)专利 开放获取CC BY-NC-SA请求全文
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