Knowledge Management System Of Shanghai Institute of Applied Physics, CAS
| p型SnO薄膜及其p-n结二极管的制备方法 | |
| 杨铁莹; 赵俊; 李晓龙; 高兴宇; 薛超凡; 吴衍青; 邰仁忠 | |
| 2014-08-18 | |
| 专利权人 | 中国科学院上海应用物理研究所 |
| 授权国家 | 中华人民共和国 |
| 专利类型 | 发明 |
| 摘要 | 本发明提供一种p型SnO薄膜的制备方法，以SnO陶瓷靶为靶材，采用射频磁控溅射在石英衬底上原位沉积形成p型SnO薄膜，其中，衬底温度为150-300℃，溅射功率为50-150W，工作气体为Ar气，气压为0.5-2.0Pa，气体流量为50-100sccm，相比现有先室温沉积再退火的技术，本制备方法简单易行，适合大规模生产，通过优化衬底温度、溅射功率、气压等工艺参数，大大减少了薄膜内部缺陷，提高了空穴迁移率，大幅提高了p型SnO薄膜的结晶质量和电导率，再以SnO2:Sb陶瓷靶为靶材，通过射频磁控溅射在该p型SnO薄膜上原位沉积形成n型SnO2:Sb薄膜以形成p-n结二极管，可有效提高p-n结二极管的稳定性和光电性能，由此制得的p-n结二极管具有阈值电压高、漏电流低、制备简单、成本低等特点，可用作透明电子器件的基本元件。 |
| 分类号 | C23C14/08;C23C14/35;H01L21/329 |
| 专利号 | CN104178730 |
| 语种 | 中文 |
| 申请号 | CN201410406410 |
| 文献类型 | 专利 |
| 条目标识符 | http://ir.sinap.ac.cn/handle/331007/25407 |
| 专题 | 中科院上海应用物理研究所2011-2018年 |
| 作者单位 | 中国科学院上海应用物理研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 杨铁莹,赵俊,李晓龙,等. p型SnO薄膜及其p-n结二极管的制备方法. CN104178730[P]. 2014-08-18. |
| 条目包含的文件 | ||||||
| 文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
| CN201410406410.pdf（371KB） | 专利 | 开放获取 | CC BY-NC-SA | 浏览 请求全文 | ||
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