p型SnO薄膜及其p-n结二极管的制备方法
杨铁莹; 赵俊; 李晓龙; 高兴宇; 薛超凡; 吴衍青; 邰仁忠
2014-08-18
专利权人中国科学院上海应用物理研究所
授权国家中华人民共和国
专利类型发明
摘要本发明提供一种p型SnO薄膜的制备方法,以SnO陶瓷靶为靶材,采用射频磁控溅射在石英衬底上原位沉积形成p型SnO薄膜,其中,衬底温度为150-300℃,溅射功率为50-150W,工作气体为Ar气,气压为0.5-2.0Pa,气体流量为50-100sccm,相比现有先室温沉积再退火的技术,本制备方法简单易行,适合大规模生产,通过优化衬底温度、溅射功率、气压等工艺参数,大大减少了薄膜内部缺陷,提高了空穴迁移率,大幅提高了p型SnO薄膜的结晶质量和电导率,再以SnO2:Sb陶瓷靶为靶材,通过射频磁控溅射在该p型SnO薄膜上原位沉积形成n型SnO2:Sb薄膜以形成p-n结二极管,可有效提高p-n结二极管的稳定性和光电性能,由此制得的p-n结二极管具有阈值电压高、漏电流低、制备简单、成本低等特点,可用作透明电子器件的基本元件。
分类号C23C14/08;C23C14/35;H01L21/329
专利号CN104178730
语种中文
申请号CN201410406410
文献类型专利
条目标识符http://ir.sinap.ac.cn/handle/331007/25407
专题中科院上海应用物理研究所2011-2018年
作者单位中国科学院上海应用物理研究所
推荐引用方式
GB/T 7714
杨铁莹,赵俊,李晓龙,等. p型SnO薄膜及其p-n结二极管的制备方法. CN104178730[P]. 2014-08-18.
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