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p型SnO薄膜及其p-n结二极管的制备方法 | |
杨铁莹; 赵俊; 李晓龙; 高兴宇; 薛超凡; 吴衍青; 邰仁忠 | |
2014-08-18 | |
Rights Holder | 中国科学院上海应用物理研究所 |
Country | 中华人民共和国 |
Subtype | 发明 |
Abstract | 本发明提供一种p型SnO薄膜的制备方法,以SnO陶瓷靶为靶材,采用射频磁控溅射在石英衬底上原位沉积形成p型SnO薄膜,其中,衬底温度为150-300℃,溅射功率为50-150W,工作气体为Ar气,气压为0.5-2.0Pa,气体流量为50-100sccm,相比现有先室温沉积再退火的技术,本制备方法简单易行,适合大规模生产,通过优化衬底温度、溅射功率、气压等工艺参数,大大减少了薄膜内部缺陷,提高了空穴迁移率,大幅提高了p型SnO薄膜的结晶质量和电导率,再以SnO2:Sb陶瓷靶为靶材,通过射频磁控溅射在该p型SnO薄膜上原位沉积形成n型SnO2:Sb薄膜以形成p-n结二极管,可有效提高p-n结二极管的稳定性和光电性能,由此制得的p-n结二极管具有阈值电压高、漏电流低、制备简单、成本低等特点,可用作透明电子器件的基本元件。 |
Classification | C23C14/08;C23C14/35;H01L21/329 |
Patent Number | CN104178730 |
Language | 中文 |
Application Number | CN201410406410 |
Document Type | 专利 |
Identifier | http://ir.sinap.ac.cn/handle/331007/25407 |
Collection | 中科院上海应用物理研究所2011-2020年 |
Affiliation | 中国科学院上海应用物理研究所 |
First Author Affilication | 中国科学院上海应用物理研究所 |
Recommended Citation GB/T 7714 | 杨铁莹,赵俊,李晓龙,等. p型SnO薄膜及其p-n结二极管的制备方法. CN104178730[P]. 2014-08-18. |
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CN201410406410.pdf(371KB) | 专利 | 开放获取 | CC BY-NC-SA | View Download |
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