CAS OpenIR  > 中科院上海应用物理研究所2011-2018年
电化学刻蚀多孔硅阵列的形貌研究
陈婷婷1; 顾牡1; 于怀娜1; 刘小林1; 黄世明1
2015
Source Publication电子元件与材料
ISSN1001-2028
Issue11Pages:48-52
Subtype期刊文献
Abstract采用电化学刻蚀法在P型硅中制备多孔阵列结构。通过实验研究和理论分析,分别讨论硅片电阻率、电流密度、电解液组分对多孔硅形貌的影响。结果表明,在P型硅中电阻率决定了孔洞能否形成;改变电流密度,可以有效调控孔径大小;在电阻率30~50?·cm、电流密度20×10–3 A/cm2的条件下,可以得到最优化多孔硅结构。通过模板引导法制备了高度有序的多孔硅阵列,孔径2.5μm,周期4μm。在电解液中添加十六烷基三甲基氯化铵(CTAC),反应生成的气泡更容易逸出,有利于改善多孔硅阵列形貌。研究成果为基于硅孔洞填充的像素化X射线闪烁转换屏的研制提供了必要的基础。
Keyword电化学刻蚀 多孔硅阵列 形貌 孔径调控 模板引导 X射线转换屏
Language中文
Document Type期刊论文
Identifierhttp://ir.sinap.ac.cn/handle/331007/25439
Collection中科院上海应用物理研究所2011-2018年
Affiliation1.同济大学物理科学与工程学院上海市特殊人工微结构材料与技术重点实验室
2.中国科学院上海应用物理研究所
Recommended Citation
GB/T 7714
陈婷婷,顾牡,于怀娜,等. 电化学刻蚀多孔硅阵列的形貌研究[J]. 电子元件与材料,2015(11):48-52.
APA 陈婷婷,顾牡,于怀娜,刘小林,&黄世明.(2015).电化学刻蚀多孔硅阵列的形貌研究.电子元件与材料(11),48-52.
MLA 陈婷婷,et al."电化学刻蚀多孔硅阵列的形貌研究".电子元件与材料 .11(2015):48-52.
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