CAS OpenIR  > 中科院上海应用物理研究所2011-2018年
往复式线切割对单晶硅表面粗糙度的影响
何健1; 徐中民1; 宋丽1; 王劼1; 王纳秀1
2015
Source Publication材料科学与工程学报
ISSN1673-2812
Issue5Pages:692-696
Subtype期刊文献
Abstract为了研究不同尺寸的金刚石颗粒、不同切速比(进给速度与线速度之比值)、金刚线切割时间与不同往复切割次数对晶体色散元件表面粗糙度的影响,主要采用四种不同线径的电镀金刚石线在上述条件下做切割晶面(111)单晶硅分光晶体的实验,并实现在脆性材料单晶硅的塑性区域进行线切割加工。结果表明:在塑性区域加工单晶硅分光晶体的表面粗糙度与金刚石颗粒尺寸成正比、与切速比有密切关系,增加往复切割的次数可以有效降低分光晶体的表面粗糙度。此次研究能够给上海同步辐射光源晶体色散元件加工提供一定的参考价值。
Keyword金刚石线 色散元件 表面粗糙度 颗粒度 切速比
Language中文
Document Type期刊论文
Identifierhttp://ir.sinap.ac.cn/handle/331007/25468
Collection中科院上海应用物理研究所2011-2018年
Affiliation1.中国科学院上海应用物理研究所
2.中国科学院大学
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GB/T 7714
何健,徐中民,宋丽,等. 往复式线切割对单晶硅表面粗糙度的影响[J]. 材料科学与工程学报,2015(5):692-696.
APA 何健,徐中民,宋丽,王劼,&王纳秀.(2015).往复式线切割对单晶硅表面粗糙度的影响.材料科学与工程学报(5),692-696.
MLA 何健,et al."往复式线切割对单晶硅表面粗糙度的影响".材料科学与工程学报 .5(2015):692-696.
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