轻丰中子核的中子皮厚度研究
李秀芳
学位类型硕士
导师方德清
2016
学位授予单位中国科学院研究生院(上海应用物理研究所)
关键词中子皮 统计擦碎模型 密度分布 电荷改变截面 相互作用截面
摘要核内中子、质子的分布和尺寸是研究核物质特性的基本物理量。在放射性束流(RIB)出现以前,中子、质子的分布和尺寸的研究主要是通过电子散射实验和质子散射实验,且研究的核也仅限于稳定核。随着放射性束流的发展,各类加速器的建设,实验方法的改进,研究范围逐渐扩展到远离稳定核甚至到中子、质子滴线附近,极大的推动了放射性核束物理的发展。随着实验的进行,更多的新物理现象被发现,这也使得人们对核物质的结构研究逐渐深入。I.Tanihata等人首次提出了中子皮和中子晕的概念,用来解释实验上一些轻核的相互作用截面异常现象。对于丰中子核,其中子密度分布的半密度半径明显大于质子密度分布的半密度半径,我们称这种核为中子皮核。并用公式进行定量的描述,将中子与质子均方根半径之差定义为中子皮厚度,即δ_(np)=Rn-Rp。中子皮的研究对非对称性核物质状态方程及其对称能、中子星的结构及特性都有重要意义。按照定义,我们需要测量出中子、质子的均方根半径,进而可以得出中子皮的厚度。从这个角度出发,在理论上本文利用核物质的反应总截面及电荷均方根半径(或电荷改变截面)提取丰中子核Na(或B,C,N,O,F)同位素的中子、质子的密度分布,得出了中子、质子的均方根半径;在实验上测量了28-32Al同位素的电荷改变截面值。在理论方面,我们利用统计擦碎模型结合相互作用总截面和电荷均方根半径,提取Na同位素的中子密度分布,得到了Na同位素中子均方根半径。并利用电荷均方根半径,得出了质子均方根半径。最后由中子皮厚度公式进一步得出了Na同位素的中子皮厚度,25-31Na的δ_(np)的范围为(0-0.3 fm)。且δ_(np)随核的质子中子分离能之差的增加而增加,此结果与I.Tanihata等人用平均场理论预言的中子皮厚度的变化趋势完全一致,表明了用统计擦碎模型提取密度分布的方法是可行的。根据20-23Na的δ_(np)
语种中文
文献类型学位论文
条目标识符http://ir.sinap.ac.cn/handle/331007/26089
专题中科院上海应用物理研究所2011-2018年
作者单位中国科学院上海应用物理研究所
推荐引用方式
GB/T 7714
李秀芳. 轻丰中子核的中子皮厚度研究[D]. 中国科学院研究生院(上海应用物理研究所),2016.
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