中国科学院上海应用物理研究所机构知识库
Advanced  
CAS OpenIR  > 中科院上海应用物理研究所2011-2017年  > 学位论文
题名:
轻丰中子核的中子皮厚度研究
作者: 李秀芳
学位类别: 硕士
答辩日期: 2016
授予单位: 中国科学院研究生院(上海应用物理研究所)
导师: 方德清
关键词: 中子皮 ; 统计擦碎模型 ; 密度分布 ; 电荷改变截面 ; 相互作用截面
中文摘要: 核内中子、质子的分布和尺寸是研究核物质特性的基本物理量。在放射性束流(RIB)出现以前,中子、质子的分布和尺寸的研究主要是通过电子散射实验和质子散射实验,且研究的核也仅限于稳定核。随着放射性束流的发展,各类加速器的建设,实验方法的改进,研究范围逐渐扩展到远离稳定核甚至到中子、质子滴线附近,极大的推动了放射性核束物理的发展。随着实验的进行,更多的新物理现象被发现,这也使得人们对核物质的结构研究逐渐深入。I.Tanihata等人首次提出了中子皮和中子晕的概念,用来解释实验上一些轻核的相互作用截面异常现象。对于丰中子核,其中子密度分布的半密度半径明显大于质子密度分布的半密度半径,我们称这种核为中子皮核。并用公式进行定量的描述,将中子与质子均方根半径之差定义为中子皮厚度,即δ_(np)=Rn-Rp。中子皮的研究对非对称性核物质状态方程及其对称能、中子星的结构及特性都有重要意义。按照定义,我们需要测量出中子、质子的均方根半径,进而可以得出中子皮的厚度。从这个角度出发,在理论上本文利用核物质的反应总截面及电荷均方根半径(或电荷改变截面)提取丰中子核Na(或B,C,N,O,F)同位素的中子、质子的密度分布,得出了中子、质子的均方根半径;在实验上测量了28-32Al同位素的电荷改变截面值。在理论方面,我们利用统计擦碎模型结合相互作用总截面和电荷均方根半径,提取Na同位素的中子密度分布,得到了Na同位素中子均方根半径。并利用电荷均方根半径,得出了质子均方根半径。最后由中子皮厚度公式进一步得出了Na同位素的中子皮厚度,25-31Na的δ_(np)的范围为(0-0.3 fm)。且δ_(np)随核的质子中子分离能之差的增加而增加,此结果与I.Tanihata等人用平均场理论预言的中子皮厚度的变化趋势完全一致,表明了用统计擦碎模型提取密度分布的方法是可行的。根据20-23Na的δ_(np)
语种: 中文
内容类型: 学位论文
URI标识: http://ir.sinap.ac.cn/handle/331007/26089
Appears in Collections:中科院上海应用物理研究所2011-2017年_学位论文

Files in This Item:
File Name/ File Size Content Type Version Access License
李秀芳.pdf(4009KB)学位论文--限制开放 联系获取全文

作者单位: 中国科学院上海应用物理研究所

Recommended Citation:
李秀芳. 轻丰中子核的中子皮厚度研究[D]. 中国科学院研究生院(上海应用物理研究所). 2016-01-01.
Service
Recommend this item
Sava as my favorate item
Show this item's statistics
Export Endnote File
Google Scholar
Similar articles in Google Scholar
[李秀芳]'s Articles
CSDL cross search
Similar articles in CSDL Cross Search
[李秀芳]‘s Articles
Related Copyright Policies
Null
Social Bookmarking
Add to CiteULike Add to Connotea Add to Del.icio.us Add to Digg Add to Reddit
所有评论 (0)
暂无评论
 
评注功能仅针对注册用户开放,请您登录
您对该条目有什么异议,请填写以下表单,管理员会尽快联系您。
内 容:
Email:  *
单位:
验证码:   刷新
您在IR的使用过程中有什么好的想法或者建议可以反馈给我们。
标 题:
 *
内 容:
Email:  *
验证码:   刷新

Items in IR are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.

 

 

Valid XHTML 1.0!
Powered by CSpace