γ射线辐射诱导聚碳硅烷自由基的衰变
程勇1; 李小虎1; 刘伟华1; 吴国忠1; 王谋华1
2016
发表期刊高等学校化学学报
ISSN0251-0790
卷号v.37期号:3页码:595-599
文章类型期刊文章
摘要利用电子自旋共振波谱(ESR)研究了在N2气中γ射线辐射诱导聚碳硅烷(PCS)自由基的产生和演变行为.ESR谱图分析结果表明,γ射线辐射诱导PCS产生的自由基为硅自由基(≡Si·).低剂量辐照时硅自由基的浓度随吸收剂量的增加而线性增加,硅自由基的辐射化学产额G值约为9,吸收剂量达到200 k Gy后,硅自由基的浓度趋于饱和.室温下硅自由基的浓度随存储时间的延长而逐渐降低,在N2气中存储时硅自由基的半衰期约23 d,在空气中存储时硅自由基的氧化反应导致衰减速率加快,半衰期仅为8 h.温度升高硅自由基衰减速率加快,在N2气中250℃加热处理可以完全清除硅自由基.
关键词电子自旋共振 聚碳硅烷 Γ射线辐射 自由基
收录类别其他
语种中文
文献类型期刊论文
条目标识符http://ir.sinap.ac.cn/handle/331007/26187
专题中科院上海应用物理研究所2011-2018年
作者单位1.上海大学理学院
2.中国科学院上海应用物理研究所
推荐引用方式
GB/T 7714
程勇,李小虎,刘伟华,等. γ射线辐射诱导聚碳硅烷自由基的衰变[J]. 高等学校化学学报,2016,v.37(3):595-599.
APA 程勇,李小虎,刘伟华,吴国忠,&王谋华.(2016).γ射线辐射诱导聚碳硅烷自由基的衰变.高等学校化学学报,v.37(3),595-599.
MLA 程勇,et al."γ射线辐射诱导聚碳硅烷自由基的衰变".高等学校化学学报 v.37.3(2016):595-599.
条目包含的文件 下载所有文件
文件名称/大小 文献类型 版本类型 开放类型 使用许可
_射线辐射诱导聚碳硅烷自由基的衰变_程勇(365KB)期刊论文作者接受稿开放获取CC BY-NC-SA浏览 下载
个性服务
推荐该条目
保存到收藏夹
查看访问统计
导出为Endnote文件
谷歌学术
谷歌学术中相似的文章
[程勇]的文章
[李小虎]的文章
[刘伟华]的文章
百度学术
百度学术中相似的文章
[程勇]的文章
[李小虎]的文章
[刘伟华]的文章
必应学术
必应学术中相似的文章
[程勇]的文章
[李小虎]的文章
[刘伟华]的文章
相关权益政策
暂无数据
收藏/分享
文件名: _射线辐射诱导聚碳硅烷自由基的衰变_程勇.pdf
格式: Adobe PDF
此文件暂不支持浏览
所有评论 (0)
暂无评论
 

除非特别说明,本系统中所有内容都受版权保护,并保留所有权利。