CAS OpenIR  > 中科院上海应用物理研究所2011-2019年
γ射线辐射诱导聚碳硅烷自由基的衰变
程勇1; 李小虎1; 刘伟华1; 吴国忠1; 王谋华1
2016
Source Publication高等学校化学学报
ISSN0251-0790
Volumev.37Issue:3Pages:595-599
Subtype期刊文章
Abstract利用电子自旋共振波谱(ESR)研究了在N2气中γ射线辐射诱导聚碳硅烷(PCS)自由基的产生和演变行为.ESR谱图分析结果表明,γ射线辐射诱导PCS产生的自由基为硅自由基(≡Si·).低剂量辐照时硅自由基的浓度随吸收剂量的增加而线性增加,硅自由基的辐射化学产额G值约为9,吸收剂量达到200 k Gy后,硅自由基的浓度趋于饱和.室温下硅自由基的浓度随存储时间的延长而逐渐降低,在N2气中存储时硅自由基的半衰期约23 d,在空气中存储时硅自由基的氧化反应导致衰减速率加快,半衰期仅为8 h.温度升高硅自由基衰减速率加快,在N2气中250℃加热处理可以完全清除硅自由基.
Keyword电子自旋共振 聚碳硅烷 Γ射线辐射 自由基
Indexed By其他
Language中文
Document Type期刊论文
Identifierhttp://ir.sinap.ac.cn/handle/331007/26187
Collection中科院上海应用物理研究所2011-2019年
Affiliation1.上海大学理学院
2.中国科学院上海应用物理研究所
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GB/T 7714
程勇,李小虎,刘伟华,等. γ射线辐射诱导聚碳硅烷自由基的衰变[J]. 高等学校化学学报,2016,v.37(3):595-599.
APA 程勇,李小虎,刘伟华,吴国忠,&王谋华.(2016).γ射线辐射诱导聚碳硅烷自由基的衰变.高等学校化学学报,v.37(3),595-599.
MLA 程勇,et al."γ射线辐射诱导聚碳硅烷自由基的衰变".高等学校化学学报 v.37.3(2016):595-599.
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