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题名:
γ射线辐射诱导聚碳硅烷自由基的衰变
作者: 程勇1; 李小虎1; 刘伟华1; 吴国忠1; 王谋华1
刊名: 高等学校化学学报
出版日期: 2016
卷号: v.37, 期号:3, 页码:595-599
关键词: 电子自旋共振 ; 聚碳硅烷 ; γ射线辐射 ; 自由基
文章类型: 期刊文章
中文摘要: 利用电子自旋共振波谱(ESR)研究了在N2气中γ射线辐射诱导聚碳硅烷(PCS)自由基的产生和演变行为.ESR谱图分析结果表明,γ射线辐射诱导PCS产生的自由基为硅自由基(≡Si·).低剂量辐照时硅自由基的浓度随吸收剂量的增加而线性增加,硅自由基的辐射化学产额G值约为9,吸收剂量达到200 k Gy后,硅自由基的浓度趋于饱和.室温下硅自由基的浓度随存储时间的延长而逐渐降低,在N2气中存储时硅自由基的半衰期约23 d,在空气中存储时硅自由基的氧化反应导致衰减速率加快,半衰期仅为8 h.温度升高硅自由基衰减速率加快,在N2气中250℃加热处理可以完全清除硅自由基.
收录类别: 其他
语种: 中文
ISSN号: 0251-0790
内容类型: 期刊论文
URI标识: http://ir.sinap.ac.cn/handle/331007/26187
Appears in Collections:中科院上海应用物理研究所2011-2017年_期刊论文

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_射线辐射诱导聚碳硅烷自由基的衰变_程勇.pdf(365KB)期刊论文作者接受稿开放获取View Download

作者单位: 1.上海大学理学院
2.中国科学院上海应用物理研究所

Recommended Citation:
程勇,李小虎,刘伟华,等. γ射线辐射诱导聚碳硅烷自由基的衰变[J]. 高等学校化学学报,2016-01-01,v.37(3):595-599.
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