Knowledge Management System Of Shanghai Institute of Applied Physics, CAS
| GdI_3:Ce晶体的生长及其闪烁性能研究 | |
| 叶乐; 史坚; 李焕英; 陈晓峰; 黄跃峰; 徐家跃; 任国浩 | |
| 2017 | |
| 发表期刊 | 无机材料学报
 |
| 期号 | 4页码:"346-350" |
| 文章类型 | 期刊论文 |
| 摘要 | 通过坩埚下降法生长GdI_3:2%Ce及无掺杂GdI_3闪烁晶体,得到?15 mm×20 mm的晶体毛坯,从中加工出尺寸分别为12 mm×10 mm×2.5 mm和11 mm×8 mm×2.5 mm的无包裹体、无开裂的晶体样品,封装后检测该晶体光学性能。XRD分析结果表明:掺杂晶体GdI_3:2%Ce与无掺杂GdI_3晶体结构相同。X射线激发发射(XEL)和紫外激发发射谱(PL)测试结果显示:GdI_3:2%Ce晶体在450~700 nm有宽带发光峰,发光峰位分别位于520 nm和550 nm,对应于Ce~(3+)的5d-4f跃迁发光。以550 nm为监控波长,测得在紫外激发下存在三个激发峰,分别位于262、335和440 nm。GdI_3:2%Ce晶体在137Cs源伽马射线(662 keV)激发下能量分辨率为3.4%,通过高斯拟合得到的衰减时间为58±3 ns。研究表明,GdI_3:2%Ce晶体是一种良好的伽马和中子探测材料,具有广泛的应用前景。 |
| 关键词 | Gdi3:2%ce晶体 坩埚下降法 闪烁性能 |
| 收录类别 | 其他 |
| 语种 | 中文 |
| 文献类型 | 期刊论文 |
| 条目标识符 | http://ir.sinap.ac.cn/handle/331007/28173 |
| 专题 | 中科院上海应用物理研究所2011-2018年 |
| 作者单位 | 1.上海应用技术大学材料科学与工程学院 2.中国科学院上海硅酸盐研究所 3.中国科学院上海应用物理研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 叶乐,史坚,李焕英,等. GdI_3:Ce晶体的生长及其闪烁性能研究[J]. 无机材料学报,2017(4):"346-350". |
| APA | 叶乐.,史坚.,李焕英.,陈晓峰.,黄跃峰.,...&任国浩.(2017).GdI_3:Ce晶体的生长及其闪烁性能研究.无机材料学报(4),"346-350". |
| MLA | 叶乐,et al."GdI_3:Ce晶体的生长及其闪烁性能研究".无机材料学报 .4(2017):"346-350". |
| 条目包含的文件 | ||||||
| 文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
| GdI_3_Ce晶体的生长及其闪烁性能研（798KB） | 期刊论文 | 作者接受稿 | 开放获取 | CC BY-NC-SA | 请求全文 | |
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