CAS OpenIR  > 中科院上海应用物理研究所2011-2019年
大高宽比纳米硅立柱的感应耦合等离子体刻蚀工艺优化
李欣; 刘建朋; 陈烁; 张思超; 邓彪; 肖体乔; 孙艳; 陈宜方
2017
Source Publication强激光与粒子束
Issue7Pages:"77-81"
Subtype期刊论文
Abstract针对氢基硅倍半氧烷(hydrogen silsesquioxane,HSQ)作为深反应离子刻蚀(DRIE)掩膜形成大高宽比纳米硅立柱的工艺进行了系统研究。优化了刻蚀工艺中线圈功率、极板功率和气体流量参数,减小了横向刻蚀,使形貌垂直性得到了更好的控制,并实现了13.3μm高度和低侧壁粗糙度的垂直硅纳米柱阵列,其高宽比(高度/半高宽)达到了36。利用不同的刻蚀工艺条件得到了不同侧壁形貌以及不同尺寸、高度的硅纳米柱结构。
KeywordHsq 深反应离子刻蚀 硅纳米柱 高宽比 硬x射线
Indexed By其他
Language中文
Document Type期刊论文
Identifierhttp://ir.sinap.ac.cn/handle/331007/28224
Collection中科院上海应用物理研究所2011-2019年
Affiliation1.复旦大学信息科学与工程学院专用集成电路与系统国家重点实验室
2.中国科学院上海应用物理研究所
3.中国科学院上海技术物理研究所
Recommended Citation
GB/T 7714
李欣,刘建朋,陈烁,等. 大高宽比纳米硅立柱的感应耦合等离子体刻蚀工艺优化[J]. 强激光与粒子束,2017(7):"77-81".
APA 李欣.,刘建朋.,陈烁.,张思超.,邓彪.,...&陈宜方.(2017).大高宽比纳米硅立柱的感应耦合等离子体刻蚀工艺优化.强激光与粒子束(7),"77-81".
MLA 李欣,et al."大高宽比纳米硅立柱的感应耦合等离子体刻蚀工艺优化".强激光与粒子束 .7(2017):"77-81".
Files in This Item: Download All
File Name/Size DocType Version Access License
大高宽比纳米硅立柱的感应耦合等离子体刻蚀(585KB)期刊论文作者接受稿开放获取CC BY-NC-SAView Download
Related Services
Recommend this item
Bookmark
Usage statistics
Export to Endnote
Google Scholar
Similar articles in Google Scholar
[李欣]'s Articles
[刘建朋]'s Articles
[陈烁]'s Articles
Baidu academic
Similar articles in Baidu academic
[李欣]'s Articles
[刘建朋]'s Articles
[陈烁]'s Articles
Bing Scholar
Similar articles in Bing Scholar
[李欣]'s Articles
[刘建朋]'s Articles
[陈烁]'s Articles
Terms of Use
No data!
Social Bookmark/Share
File name: 大高宽比纳米硅立柱的感应耦合等离子体刻蚀工艺优化.pdf
Format: Adobe PDF
All comments (0)
No comment.
 

Items in the repository are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.