大高宽比纳米硅立柱的感应耦合等离子体刻蚀工艺优化
李欣; 刘建朋; 陈烁; 张思超; 邓彪; 肖体乔; 孙艳; 陈宜方
2017
发表期刊强激光与粒子束
期号7页码:"77-81"
文章类型期刊论文
摘要针对氢基硅倍半氧烷(hydrogen silsesquioxane,HSQ)作为深反应离子刻蚀(DRIE)掩膜形成大高宽比纳米硅立柱的工艺进行了系统研究。优化了刻蚀工艺中线圈功率、极板功率和气体流量参数,减小了横向刻蚀,使形貌垂直性得到了更好的控制,并实现了13.3μm高度和低侧壁粗糙度的垂直硅纳米柱阵列,其高宽比(高度/半高宽)达到了36。利用不同的刻蚀工艺条件得到了不同侧壁形貌以及不同尺寸、高度的硅纳米柱结构。
关键词Hsq 深反应离子刻蚀 硅纳米柱 高宽比 硬x射线
收录类别其他
语种中文
文献类型期刊论文
条目标识符http://ir.sinap.ac.cn/handle/331007/28224
专题中科院上海应用物理研究所2011-2018年
作者单位1.复旦大学信息科学与工程学院专用集成电路与系统国家重点实验室
2.中国科学院上海应用物理研究所
3.中国科学院上海技术物理研究所
推荐引用方式
GB/T 7714
李欣,刘建朋,陈烁,等. 大高宽比纳米硅立柱的感应耦合等离子体刻蚀工艺优化[J]. 强激光与粒子束,2017(7):"77-81".
APA 李欣.,刘建朋.,陈烁.,张思超.,邓彪.,...&陈宜方.(2017).大高宽比纳米硅立柱的感应耦合等离子体刻蚀工艺优化.强激光与粒子束(7),"77-81".
MLA 李欣,et al."大高宽比纳米硅立柱的感应耦合等离子体刻蚀工艺优化".强激光与粒子束 .7(2017):"77-81".
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