Knowledge Management System Of Shanghai Institute of Applied Physics, CAS
| 大高宽比纳米硅立柱的感应耦合等离子体刻蚀工艺优化 | |
| 李欣; 刘建朋; 陈烁; 张思超; 邓彪; 肖体乔; 孙艳; 陈宜方 | |
| 2017 | |
| 发表期刊 | 强激光与粒子束
 |
| 期号 | 7页码:"77-81" |
| 文章类型 | 期刊论文 |
| 摘要 | 针对氢基硅倍半氧烷(hydrogen silsesquioxane,HSQ)作为深反应离子刻蚀(DRIE)掩膜形成大高宽比纳米硅立柱的工艺进行了系统研究。优化了刻蚀工艺中线圈功率、极板功率和气体流量参数,减小了横向刻蚀,使形貌垂直性得到了更好的控制,并实现了13.3μm高度和低侧壁粗糙度的垂直硅纳米柱阵列,其高宽比(高度/半高宽)达到了36。利用不同的刻蚀工艺条件得到了不同侧壁形貌以及不同尺寸、高度的硅纳米柱结构。 |
| 关键词 | Hsq 深反应离子刻蚀 硅纳米柱 高宽比 硬x射线 |
| 收录类别 | 其他 |
| 语种 | 中文 |
| 文献类型 | 期刊论文 |
| 条目标识符 | http://ir.sinap.ac.cn/handle/331007/28224 |
| 专题 | 中科院上海应用物理研究所2011-2018年 |
| 作者单位 | 1.复旦大学信息科学与工程学院专用集成电路与系统国家重点实验室 2.中国科学院上海应用物理研究所 3.中国科学院上海技术物理研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 李欣,刘建朋,陈烁,等. 大高宽比纳米硅立柱的感应耦合等离子体刻蚀工艺优化[J]. 强激光与粒子束,2017(7):"77-81". |
| APA | 李欣.,刘建朋.,陈烁.,张思超.,邓彪.,...&陈宜方.(2017).大高宽比纳米硅立柱的感应耦合等离子体刻蚀工艺优化.强激光与粒子束(7),"77-81". |
| MLA | 李欣,et al."大高宽比纳米硅立柱的感应耦合等离子体刻蚀工艺优化".强激光与粒子束 .7(2017):"77-81". |
| 条目包含的文件 | 下载所有文件 | |||||
| 文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
| 大高宽比纳米硅立柱的感应耦合等离子体刻蚀（585KB） | 期刊论文 | 作者接受稿 | 开放获取 | CC BY-NC-SA | 浏览 下载 | |
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