CAS OpenIR  > 中科院上海应用物理研究所2011-2020年
C、N、F掺杂对VO_2电子结构影响的研究
万金玉; 刘怡飞; 李雪娇
2020
Source Publication人工晶体学报
Volume49Issue:02Pages:239-245+258
Subtype期刊论文
Abstract二氧化钒(VO_2)是一种热至变色材料,在临界温度340 K有金属-半导体相变。第一性原理计算结果发现:C、N、F元素以1.56%、3.13%、4.69%的原子浓度掺杂M1相VO_2的带隙E_(g1)降低到0.349~0.612 eV,其中氮元素以4.69%的浓度掺杂VO_2的带隙E_(g1)最小(0.349 eV)。在C、N、F掺杂M1相VO_2体系中,3.13%的N掺杂可以有效降低相变温度,并且对可见光透过率影响不大,所以3.13%的N原子掺杂VO_2可以在实际中应用。
Keyword第一性原理 二氧化钒 态密度
Indexed By其他
Language中文
Document Type期刊论文
Identifierhttp://ir.sinap.ac.cn/handle/331007/32534
Collection中科院上海应用物理研究所2011-2020年
Affiliation1.泉州医学高等专科学校;
2.福建医科大学附属第二医院;
3.中国科学院上海应用物理研究所
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GB/T 7714
万金玉,刘怡飞,李雪娇. C、N、F掺杂对VO_2电子结构影响的研究[J]. 人工晶体学报,2020,49(02):239-245+258.
APA 万金玉,刘怡飞,&李雪娇.(2020).C、N、F掺杂对VO_2电子结构影响的研究.人工晶体学报,49(02),239-245+258.
MLA 万金玉,et al."C、N、F掺杂对VO_2电子结构影响的研究".人工晶体学报 49.02(2020):239-245+258.
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