CAS OpenIR  > 中科院上海应用物理研究所2011-2020年
基于碳化硅中子探测器的实验研究
唐彬; 蔡军; 黄文博; 梁超飞; 李长园; 李世斌
2020
Source Publication辐射研究与辐射工艺学报
Volume38Issue:05Pages:71-76
Subtype期刊论文
Abstract碳化硅(SiC)中子探测器属于一种宽禁带半导体探测器,适合在高温强辐射环境下的测量。本文利用标准放射源建立了SiC中子探测器的实验测试系统,分别研究了SiC中子探测器在~(252)Cf标准源及~(60)Co标准源照射下的响应情况。通过实验测试发现,SiC中子探测器可以在低偏置电压下工作,在~(252)Cf标准源照射下探测器的计数率与中子通量之间具有非常好的线性关系,其线性拟合R~2值为0.999 8。此外,SiC中子探测器在~(60)Co源照射下的计数主要是在低能区,可以通过甄别阈值设置有效地分辨γ射线的影响。
Keyword碳化硅 中子探测器 探测效率
Indexed ByCSCD
Language中文
CSCD IDCSCD:6838911
Citation statistics
Document Type期刊论文
Identifierhttp://ir.sinap.ac.cn/handle/331007/32597
Collection中科院上海应用物理研究所2011-2020年
Affiliation1.中国科学院上海应用物理研究所;
2.中国科学院大学
Recommended Citation
GB/T 7714
唐彬,蔡军,黄文博,等. 基于碳化硅中子探测器的实验研究[J]. 辐射研究与辐射工艺学报,2020,38(05):71-76.
APA 唐彬,蔡军,黄文博,梁超飞,李长园,&李世斌.(2020).基于碳化硅中子探测器的实验研究.辐射研究与辐射工艺学报,38(05),71-76.
MLA 唐彬,et al."基于碳化硅中子探测器的实验研究".辐射研究与辐射工艺学报 38.05(2020):71-76.
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