CAS OpenIR  > 中科院上海应用物理研究所2011-2020年
响应曲面法优化GH3535平板样片中FLiNaK熔盐去污工艺条件
王帅; 秦强; 李世斌; 张晗; 王保柱; 刘忠英; 刘呈则
2020
Source Publication核化学与放射化学
Volume42Issue:05Pages:349-354
Subtype期刊论文
Abstract为了获得超声波和化学法联合去污LiF-NaF-KF(FLiNaK)熔盐的最佳工艺条件,利用响应曲面法和Box-Behnken设计(BBD)建立多项式模型,考察了反应温度、超声波功率、硝酸铝浓度和反应时间等因素对熔盐去除率的影响。结果显示:模型的相关系数r~2为0.958 0,校正的相关系数r_(adj)~2为0.915 9,表明模型的回归性显著,拟合程度高。影响熔盐去除率的因素由高到低为:反应时间>超声波功率>反应温度>硝酸铝浓度。预测的最佳去污工艺条件为:反应温度60℃、超声波功率300 W、硝酸铝浓度0.1 mol/L和反应时间9 min。在此条件下开展的去污实验验证熔盐的去除率为98.74%±1.12%(n=3),与预测值99.99%的相对误差为1.25%。表明采用响应曲面法优化超声波和化学法联合去污FLiNaK熔盐的工艺条件合理,结果可靠,可为下一步工程应用提供参考。
Keyword响应曲面法 Box-Behnken设计 超声波和化学法联合 FLiNaK熔盐 去污
Indexed ByCSCD
Language中文
CSCD IDCSCD:6833175
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Document Type期刊论文
Identifierhttp://ir.sinap.ac.cn/handle/331007/32647
Collection中科院上海应用物理研究所2011-2020年
Affiliation中国科学院上海应用物理研究所核与辐射安全技术部
First Author Affilication中国科学院上海应用物理研究所
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GB/T 7714
王帅,秦强,李世斌,等. 响应曲面法优化GH3535平板样片中FLiNaK熔盐去污工艺条件[J]. 核化学与放射化学,2020,42(05):349-354.
APA 王帅.,秦强.,李世斌.,张晗.,王保柱.,...&刘呈则.(2020).响应曲面法优化GH3535平板样片中FLiNaK熔盐去污工艺条件.核化学与放射化学,42(05),349-354.
MLA 王帅,et al."响应曲面法优化GH3535平板样片中FLiNaK熔盐去污工艺条件".核化学与放射化学 42.05(2020):349-354.
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