注F~+加固CMOS/SOI材料的抗辐射研究

CAS OpenIR > 中科院上海应用物理研究所2004-2010年

	注F~+加固CMOS/SOI材料的抗辐射研究
	武光明,朱江,高剑侠
	2002-02-28
Source Publication	电子元件与材料
Issue	02
Abstract	向SIMOX材料的SiO2埋层或Si/SiO2界面注入170 keV F+,进而制成CMOS/SOI材料,采用60Co g 辐射器辐照并测量材料的I-V特性。结果表明:向CMOS/SOI材料埋层注入F+离子,能提高CMOS/SOI材料的抗电离辐照性能。而且,注入F+的剂量为11015cm2时,材料的抗辐照能力较强。这对制作应用于电离辐射环境的COMS/SOI器件极其有益。
Indexed By	CNKI
Language	中文
Document Type	期刊论文
Identifier	http://ir.sinap.ac.cn/handle/331007/7628
Collection	中科院上海应用物理研究所2004-2010年
Recommended Citation GB/T 7714	武光明,朱江,高剑侠. 注F~+加固CMOS/SOI材料的抗辐射研究[J]. 电子元件与材料,2002(02).
APA	武光明,朱江,高剑侠.(2002).注F~+加固CMOS/SOI材料的抗辐射研究.电子元件与材料(02).
MLA	武光明,朱江,高剑侠."注F~+加固CMOS/SOI材料的抗辐射研究".电子元件与材料 .02(2002).

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