CAS OpenIR  > 中科院上海应用物理研究所2004-2010年
电场诱导碳纳米管阵列准直生长的研究
曹继,陆荣荣,李玉兰,曹建清,朱德彰,巩金龙,朱志远
2003-12-25
Source Publication光谱学与光谱分析
Issue06
Abstract在传统的热化学气相沉积(CVD)的基础上,引入针尖电场,开展了电场对碳纳米管阵列准直性改善的研究。利用扫描电子显微镜(SEM)和Raman光谱两种表征手段,研究了加电场与不加电场两种情况下得到的碳纳米管(CNT)阵列的准直性,证明了电场对碳纳米管阵列准直生长的有效性。文章还对电场诱导碳纳米管阵列准直生长的机理进行了初步的探讨,认为电场使碳纳米管极化是CNT阵列准直生长的主要原因。
Document Type期刊论文
Identifierhttp://ir.sinap.ac.cn/handle/331007/7921
Collection中科院上海应用物理研究所2004-2010年
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GB/T 7714
曹继,陆荣荣,李玉兰,曹建清,朱德彰,巩金龙,朱志远. 电场诱导碳纳米管阵列准直生长的研究[J]. 光谱学与光谱分析,2003(06).
APA 曹继,陆荣荣,李玉兰,曹建清,朱德彰,巩金龙,朱志远.(2003).电场诱导碳纳米管阵列准直生长的研究.光谱学与光谱分析(06).
MLA 曹继,陆荣荣,李玉兰,曹建清,朱德彰,巩金龙,朱志远."电场诱导碳纳米管阵列准直生长的研究".光谱学与光谱分析 .06(2003).
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