CAS OpenIR  > 中科院上海应用物理研究所2004-2010年
低能Ar~+离子束辅助沉积择优取向Pt(111)膜
江炳尧,蒋军,冯涛,任琮欣,张正选,宋志棠,柳襄怀,郑里平
2004
Source Publication功能材料
Issue06
Abstract 采用低能Ar+离子束辅助沉积方法,在Mo/Si(100)基底上沉积Pt膜,离子/原子到达比分别为0.1、0.2、0.3。若Ar+离子的入射角为0°,XRD谱分析表明,沉积的Pt膜均呈(111)和(200)混合晶向;当Ar+离子的入射角为45°,沉积的Pt膜均呈很强的(111)择优取向。因此若合理控制Ar+离子束的入射角,可在Mo/Si(100)衬底上制备出具有显著择优取向的Pt(111)薄膜。本文采用MonteCarlo方法模拟低能Ar+离子注入Pt单晶所引起的原子级联碰撞过程,得出Ar+离子入射单晶铂(200)晶面时,Ar+离子的溅射率与入射角的关系,对Pt膜择优取向的机理作了初步的探讨和分析。
Language中文
Funding Project应物所项目组
Document Type期刊论文
Identifierhttp://ir.sinap.ac.cn/handle/331007/8131
Collection中科院上海应用物理研究所2004-2010年
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GB/T 7714
江炳尧,蒋军,冯涛,任琮欣,张正选,宋志棠,柳襄怀,郑里平. 低能Ar~+离子束辅助沉积择优取向Pt(111)膜[J]. 功能材料,2004(06).
APA 江炳尧,蒋军,冯涛,任琮欣,张正选,宋志棠,柳襄怀,郑里平.(2004).低能Ar~+离子束辅助沉积择优取向Pt(111)膜.功能材料(06).
MLA 江炳尧,蒋军,冯涛,任琮欣,张正选,宋志棠,柳襄怀,郑里平."低能Ar~+离子束辅助沉积择优取向Pt(111)膜".功能材料 .06(2004).
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