532nm激光照射碳纳米管光场致发射电子枪(英文)

CAS OpenIR > 中科院上海应用物理研究所2004-2010年

	532nm激光照射碳纳米管光场致发射电子枪(英文)
	孙启龙; 王兴涛; 林国强; 戴志敏; 陆善良; 俞铁民
	2010
Source Publication	强激光与粒子束
Issue	1
Abstract	报道了碳纳米管光场致发射电子枪的初步研究结果。在532nm激光照射下碳纳米管光场致发射电子枪在极间高压为27kV时得到的最大的脉冲流强可以达到3.364A,其脉冲电流发射密度可达6.728A/cm2,对应脉冲电荷量为38.7nC。碳纳米管的量子效率通过公式计算为3.73×10-5,给出了在532nm激光照射下碳纳米管光场致发射电子枪发射电流随激光功率和极间电压的变化关系。
Keyword	电子枪碳纳米管光场致发射量子效率
Indexed By	CNKI
Language	中文
Funding Project	应物所项目组
Document Type	期刊论文
Identifier	http://ir.sinap.ac.cn/handle/331007/8346
Collection	中科院上海应用物理研究所2004-2010年
Corresponding Author	孙启龙
Recommended Citation GB/T 7714	孙启龙,王兴涛,林国强,等. 532nm激光照射碳纳米管光场致发射电子枪(英文)[J]. 强激光与粒子束,2010(1).
APA	孙启龙,王兴涛,林国强,戴志敏,陆善良,&俞铁民.(2010).532nm激光照射碳纳米管光场致发射电子枪(英文).强激光与粒子束(1).
MLA	孙启龙,et al."532nm激光照射碳纳米管光场致发射电子枪(英文)".强激光与粒子束 .1(2010).

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