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| 金刚石薄膜为掩膜离子束室温溅射可控制备硅纳米圆锥阵列 | |
| 谢巧玲; 李勤涛; 杨树敏; 贺周同; 周兴泰; 朱德彰; 巩金龙 | |
| 2009 | |
| Source Publication | 核技术
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| Issue | 5 |
| Abstract | 以金刚石薄膜为掩膜,采用低能Ar+束室温倾角溅射的方法制备密度和形貌可控的硅纳米圆锥阵列。扫描电子显微镜(SEM)结果表明,离子束溅射后得到的硅纳米圆锥密度与作为掩膜的金刚石薄膜颗粒密度相当;硅纳米圆锥的形貌与离子束入射角有密切关系,随着入射倾角由30°增大到75°,得到的硅纳米圆锥的锥角由73°减小到23°,其长径比从500nm/360nm增大到2400nm/600nm。由于金刚石比硅材料的溅射速率更低,因此以金刚石薄膜为掩膜可以制备较大长径比的硅纳米圆锥阵列;随着入射角的增大,离子束溅射诱导的表面原子有效扩散系数减小和溅射速率增大是硅纳米圆锥的锥角减小、长径比增大的主要原因。 |
| Keyword | 硅纳米圆锥 离子束溅射 金刚石薄膜 |
| Indexed By | CNKI |
| Language | 中文 |
| Funding Project | 应物所项目组 |
| Document Type | 期刊论文 |
| Identifier | http://ir.sinap.ac.cn/handle/331007/8356 |
| Collection | 中科院上海应用物理研究所2004-2010年 |
| Corresponding Author | 谢巧玲 |
| Recommended Citation GB/T 7714 | 谢巧玲,李勤涛,杨树敏,等. 金刚石薄膜为掩膜离子束室温溅射可控制备硅纳米圆锥阵列[J]. 核技术,2009(5). |
| APA | 谢巧玲.,李勤涛.,杨树敏.,贺周同.,周兴泰.,...&巩金龙.(2009).金刚石薄膜为掩膜离子束室温溅射可控制备硅纳米圆锥阵列.核技术(5). |
| MLA | 谢巧玲,et al."金刚石薄膜为掩膜离子束室温溅射可控制备硅纳米圆锥阵列".核技术 .5(2009). |
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| 金刚石薄膜为掩膜离子束室温溅射可控制备硅（3699KB） | 开放获取 | -- | View Download | |||
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