CAS OpenIR  > 中科院上海应用物理研究所2004-2010年
压力对热丝化学气相沉积的CH_4/H_2/Ar气氛中的纳米金刚石薄膜生长的影响(英文)
杨树敏; 贺周同; 朱德彰; 巩金龙; 周兴泰
2009
Source Publication功能材料与器件学报
Issue4
Abstract在热丝化学气相沉积体系中,系统研究了气压对CH4/H2/Ar气氛中纳米金刚石薄膜生长的影响。研究发现,体系气压对纳米金刚石的生长有很大的影响。在40 torr的气压下,在CH4/H2/Ar气氛中的Ar气含量需高达90%才能保证纳米金刚石薄膜的生长,但降低气压至5 torr时,50%的Ar气含量即可保证纳米金刚石薄膜的生长。压力对薄膜生长表面的气体浓度的影响是这个转变的主要原因。在同样的Ar含量下,在5 torr下的C2活性基团的浓度高于40 torr的浓度,因而低的Ar含量会保证纳米金刚石薄膜的生长。
Keyword纳米金刚石薄膜 热丝化学气相沉积 压力 Ar浓度
Indexed ByCNKI
Language中文
Funding Project应物所项目组
Document Type期刊论文
Identifierhttp://ir.sinap.ac.cn/handle/331007/8388
Collection中科院上海应用物理研究所2004-2010年
Corresponding Author杨树敏
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GB/T 7714
杨树敏,贺周同,朱德彰,等. 压力对热丝化学气相沉积的CH_4/H_2/Ar气氛中的纳米金刚石薄膜生长的影响(英文)[J]. 功能材料与器件学报,2009(4).
APA 杨树敏,贺周同,朱德彰,巩金龙,&周兴泰.(2009).压力对热丝化学气相沉积的CH_4/H_2/Ar气氛中的纳米金刚石薄膜生长的影响(英文).功能材料与器件学报(4).
MLA 杨树敏,et al."压力对热丝化学气相沉积的CH_4/H_2/Ar气氛中的纳米金刚石薄膜生长的影响(英文)".功能材料与器件学报 .4(2009).
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