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用于X荧光分析的半导体探测器 | |
徐慧超; 张金洲; 沈浩元 | |
2006 | |
Source Publication | 常熟理工学院学报
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Issue | 2 |
Abstract | 随着X荧光检测方法的广泛应用,作为核心的探测器性能显得尤其重要。国内研制的Si(Li)X射线探测器,部分性能指标达到并超过了国外水平,为我国X荧光仪整体性能的提升,打下了良好基础。另外,碲锌镉(CZT)晶体作为一种新型半导体材料,由于原子序数高、禁带宽、密度大,制成低能γ射线和X射线探测器不需液氮冷却就能得到相当好的能量分辨率,且有相当高的探测效率。因此近年来发展迅速。我们实验室已制成Φ8×1.7mm3灵敏体积的CZT探测器,室温22℃下对241Am放射源、59.54keV能量的γ射线能量分辨率可以达到/2.06keV(FWHM)(未使用准直器),连续测量没有极化效应,并且具有很好的长期稳定性。 |
Keyword | Si(Li)探测器 碲锌镉(Czt) 室温探测器 性能 X射线 元素分析 |
Indexed By | CNKI |
Language | 中文 |
Funding Project | 应物所项目组 |
Document Type | 期刊论文 |
Identifier | http://ir.sinap.ac.cn/handle/331007/8523 |
Collection | 中科院上海应用物理研究所2004-2010年 |
Corresponding Author | 徐慧超 |
Recommended Citation GB/T 7714 | 徐慧超,张金洲,沈浩元. 用于X荧光分析的半导体探测器[J]. 常熟理工学院学报,2006(2). |
APA | 徐慧超,张金洲,&沈浩元.(2006).用于X荧光分析的半导体探测器.常熟理工学院学报(2). |
MLA | 徐慧超,et al."用于X荧光分析的半导体探测器".常熟理工学院学报 .2(2006). |
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